1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 200А; інвертор; Field Stop,Trench

Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 200А; інвертор; Field Stop,Trench
Немає в наявності
Код товару: FP200R12N3T7B11BPSA1
9135,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 10
Код товару: FP200R12N3T7B11BPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Використання: інвертор
Напруга затвор - емітер: ±20В
Струм колектора: 200А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: термістор NTC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1210

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

1,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
82пФ
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 10AWG; PTFE; білий; 600В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 10AWG; PTFE; білий; 600В; 30,5м

19301,96 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP64
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP64

497,93 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PMP; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 0402

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 8,2В; DO41; одиночний діод; Ammo Pack; 1N47xxA
Діод: зенера; 1Вт; 8,2В; DO41; одиночний діод; Ammo Pack; 1N47xxA

13,94 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
8,2В
Корпус:
DO41
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А

1809,26 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 15А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 15А

1902,39 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT x3; Ic: 35А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT x3; Ic: 35А

2613,17 грн

Використання:
двигуни; інвертор
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
ACEPACK™1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

1998,04 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А

3389,20 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А

8376,07 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper,термістор; Ic: 379А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper,термістор; Ic: 379А

5949,15 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMIX2S