Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 995А; пригвинчуваний; 4,1кВт

Немає в наявності
Код товару: FF600R12ME4BOSA1
12546,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 10
Код товару: FF600R12ME4BOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 4,1кВт
Струм колектора: 995А
Струм колектора в імпульсі: 1,2кА
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: термістор NTC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,5пФ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

12133,19 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; Ic: 50А; 186Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; Ic: 50А; 186Вт; Field Stop,Trench

1321,59 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
186Вт
Струм колектора:
50А
Струм колектора в імпульсі:
61А
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench

1720,10 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
291Вт
Струм колектора:
68А
Струм колектора в імпульсі:
68А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2923,85 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А

15434,00 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2067,29 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А

3248,23 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1