Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 100А

Немає в наявності
Код товару: SK 100 GD 07F3 TD1 24919170
23504,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SK 100 GD 07F3 TD1 24919170
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: SEMITOP4
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 100А
Струм колектора в імпульсі: 300А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-фазний міст IGBT; термістор
Трансформатор: литий; 8÷16В; 79,2x54,4x68,1мм
Трансформатор: литий; 8÷16В; 79,2x54,4x68,1мм

999,75 грн

Вторинна напруга 1:
8...16В
Зовнішні розміри:
79,2x54,4x68,1мм
Тип трансформатора:
литий
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 43В; 16,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB
Діод: TVS; 1кВт; 43В; 16,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB

14,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36,8В
Недоступний
Трансформатор: литий; 20ВА; 230ВAC; 24В; 834мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 20ВА; 230ВAC; 24В; 834мА; PCB; BVEI

1036,49 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
24В
Зовнішні розміри:
56,8x47,7x43,2мм
Монтаж:
PCB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805; 330мм

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

5307,91 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
35А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт

3623,93 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
234Вт
Струм колектора:
101А
Струм колектора в імпульсі:
101А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

6492,66 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2128,11 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

10046,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

1631,40 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC

7319,45 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,7кВ