Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Інвертор TNPC 3 рівня; F1.2

Name: Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Інвертор TNPC 3 рівня; F1.2
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD80TLQ120F1S
Price: 2410.04 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: GD80TLQ120F1S

2410,04 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 25

Крок додавання: 25

Код товару:

GD80TLQ120F1S

Виробник:

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Електричний монтаж:

Press-in PCB

Зворотна напруга макс.:

1,2кВ

Корпус:

F1.2

Механічний монтаж:

пригвинчуваний

Напруга затвор - емітер:

±20В

Структура напівпровідника:

транзистор/транзистор

Струм колектора:

80А

Струм колектора в імпульсі:

160А

Технологія:

Advanced Trench FS Fast IGBT

Тип напівпровідникового модуля:

IGBT

Топологія:

Інвертор TNPC 3 рівня; термістор NTC

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230ВAC

3734,17 грн

Вид вимикача:
тип A

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА

Відповідність стандарту:
IEC EN 61009-1

Диференціальний струм:
0,1А

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
0402

Корпус - мм:
1005

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 1.5A

369,36 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Довжина відводів:
5мм

Недоступний

Бажані

Діод: випрямний; 1,8кВ; 400А; анод на болті; E17; M24x1,5; 1,45В

17075,54 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
ізольований тросик - силіконовий рукав

Зворотна напруга макс.:
1,8кВ

Корпус:
E17

Монтаж:
гвинтовий

Недоступний

Бажані

Резистор: thin film; 2,61кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,92 грн

Виводи:
осьові

Діаметр:
3,7мм

Довжина:
10мм

Допуск:
±0,1%

Недоступний

Бажані

IC: мікроконтролер PIC; 48кБ; 40МГц; A/E/USART x2,LIN,MSSP x2

203,37 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит

Вид упаковки:
лоток

Властивості інтегральних мікросхем:
Phase locked loop; watchdog

Інтерфейс:
A/E/USART x2; LIN; MSSP x2

Недоступний

Бажані

Резистор: вуглецевий; 16,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Діаметр:
2,2мм

Діаметр роліка макс.:
330мм

Довжина:
5,8мм

Це може вас зацікавити

Бажані

Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 248А

8771,55 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика

Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний

Зворотна напруга макс.:
1,7кВ

Корпус:
SEMITRANS3

Бажані

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

10542,33 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика

Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ

Корпус:
SEMITRANS3

Бажані

Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 31А

3936,27 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика

Електричний монтаж:
Press-Fit

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ

Корпус:
MiniSKiiP® 2

Бажані

Модуль: IGBT; діод/тиристор/IGBT; boost chopper; Urmax: 600В

1780,92 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика

Електричний монтаж:
Press-Fit

Зворотна напруга макс.:
0,6кВ

Корпус:
MiniSKiiP® 1

Бажані

Модуль: IGBT; діод/тиристор/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

5923,73 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика

Електричний монтаж:
Press-Fit

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ

Корпус:
MiniSKiiP® 3

Бажані

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А

2145,85 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ

Корпус:
L3.0

Механічний монтаж:
пригвинчуваний

Бажані

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

12134,45 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика

Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ

Корпус:
SEMITRANS3