1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SKM150GB12T4 22892040
5425,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SKM150GB12T4 22892040
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: SEMITRANS2
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 150А
Струм колектора в імпульсі: 450А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: півмісток IGBT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V

43,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Насадка: шестигранний-bit; Hex-Plus; HEX 6мм; 3/8"; Zyklop; хром
Насадка: шестигранний-bit; Hex-Plus; HEX 6мм; 3/8"; Zyklop; хром

689,94 грн

Вид ключа:
Hex-Plus
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина насадки:
107мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; TQFP100; 1МБFLASH; ARM; лоток
IC: мікроконтролер ARM; TQFP100; 1МБFLASH; ARM; лоток

458,69 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
CAN; EBI; EMI; I2C; I2S; IrDA; SD; SPI; UART; USART; USB
Недоступний
IC: driver; місток H; low-side; DIP14; 1,2А; Ch: 4; MOSFET; 800мВт
IC: driver; місток H; low-side; DIP14; 1,2А; Ch: 4; MOSFET; 800мВт

236,95 грн

Вид виходу:
що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
low-side
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
1,2А
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 3,6В; SMD; SOD123; одиночний діод; MMSZ4xxTxG
Діод: зенера; 0,5Вт; 3,6В; SMD; SOD123; одиночний діод; MMSZ4xxTxG

7,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,6В
Недоступний
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷10ВDC; SSOT24
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷10ВDC; SSOT24

51,32 грн

Вид виходу RESET:
open drain
Вид об'єднаної схеми:
детектор напруги
Кількість каналів:
1
Корпус:
SSOT24
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

10376,34 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

9344,92 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
AG-62MM-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B

2287,76 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
900В
Корпус:
SOT227B
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench

123721,64 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
1,2кА
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3772,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V3 62MM
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.55÷15.45VDC
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.55÷15.45VDC

5929,43 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
20А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

14012,94 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3