1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Немає в наявності
Код товару: DAGNH751200
2154,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DAGNH751200
Виробник: DACO Semiconductor
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: HW9434
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 350Вт
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 75А
Струм колектора в імпульсі: 150А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: півмісток IGBT
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 20÷22,1В; 13,7А; двоспрямована; ±5%; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 20÷22,1В; 13,7А; двоспрямована; ±5%; SMA; SMAJ

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
18В
Корпус:
SMA
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 190В; TO92; THT; 25А; SIDACtor®; UBO: 260В
Тиристор: TSS; Urmax: 190В; TO92; THT; 25А; SIDACtor®; UBO: 260В

44,35 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Використання:
baseband equipment
Зворотна напруга макс.:
190В
Корпус:
TO92
IC: інтерфейс; приймач,контролер лінії; RS232; 1000кбіт/с; SO16
IC: інтерфейс; приймач,контролер лінії; RS232; 1000кбіт/с; SO16

117,84 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер лінії; приймач
Інтерфейс:
RS232
Кількість приймачів:
2
Корпус:
SO16
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс

353,52 грн

Зворотна напруга макс.:
1кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,3В
Структура напівпровідника:
одиночний діод
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THR,THT; 3A

17,11 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,7мм
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8

19,20 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 8,89В; 220,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 8,89В; 220,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

130,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
8В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.55÷15.45VDC
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.55÷15.45VDC

5929,43 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
20А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

10376,34 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

11611,77 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
AG-62MM-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

17924,50 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench

123721,64 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
1,2кА
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3772,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V3 62MM
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А

3388,88 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3