Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

Немає в наявності
Код товару: MII75-12A3
3083,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MII75-12A3
Виробник: IXYS
Використання: вентилятори; двигуни; для насосу; фотоелектрика
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: Y4-M5
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 370Вт
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 60А
Струм колектора в імпульсі: 100А
Технологія: NPT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: півмісток IGBT
Ключ: комбінований; двосторонній; 15мм; L: 190мм
Ключ: комбінований; двосторонній; 15мм; L: 190мм

534,72 грн

Вид ключа:
двосторонній
Відповідність стандарту:
DIN 3113
Властивості ключів:
кільцева голівка вигнута на 15°
Довжина:
190мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 160пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 160пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 68Ом; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 68Ом; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

2,51 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
68Ом
Резистор: thick film; 681Ом; 1206; 250мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 681Ом; 1206; 250мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,20 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

1,95 грн

Alias:
C0603C202J5GAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Резистор: вуглецевий; 82Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: вуглецевий; 82Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм

1,02 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; SPI; 8Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 20МГц; DFN8
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; SPI; 8Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 20МГц; DFN8

110,87 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

17924,50 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench

123721,64 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
1,2кА
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3772,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V3 62MM
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.55÷15.45VDC
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.55÷15.45VDC

5929,43 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
20А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

10376,34 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

11611,77 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
AG-62MM-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B

2287,76 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
900В
Корпус:
SOT227B