Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1700В

Немає в наявності
Код товару: GD50HFX170C1S
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 24
Крок додавання: 24
Код товару: GD50HFX170C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,7кВ
Корпус: C1 34mm
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 50А
Струм колектора в імпульсі: 100А
Технологія: Trench FS IGBT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: півмісток IGBT
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 20В; 20,5А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 20В; 20,5А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1

7,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 47А; Idm: 188А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 47А; Idm: 188А

928,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
470нКл
Корпус:
TO264
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP100; 1,8÷3,6ВDC; STM32L1
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP100; 1,8÷3,6ВDC; STM32L1

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x2; I2S x2; SDIO; SPI x8; USART x5; USB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402

8,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,1пФ
Недоступний
Провід; тросик; Cu; 24AWG; ПВХ; біло-синій; 1кВ; 305м; 1x24AWG
Провід; тросик; Cu; 24AWG; ПВХ; біло-синій; 1кВ; 305м; 1x24AWG

39,91 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
MIL-W-76 (Type MWP)
Вміст упаковки:
305м
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 11; SMT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 11; SMT; 3A; 125V

83,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench

1720,10 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
291Вт
Струм колектора:
68А
Струм колектора в імпульсі:
68А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2923,85 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А

15434,00 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2067,29 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H,термістор NTC
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H,термістор NTC

6588,33 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP4
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2470,86 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; термістор NTC; 158Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; термістор NTC; 158Вт; Field Stop,Trench

2031,17 грн

Потужність розсіювання:
158Вт
Струм колектора в імпульсі:
68А
Технологія:
Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля:
IGBT