1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 650В

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 650В
Немає в наявності
Код товару: SKIIP 24GB07E3V1 25240713
6835,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SKIIP 24GB07E3V1 25240713
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: Press-Fit
Зворотна напруга макс.: 650В
Корпус: MiniSKiiP® 2
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 150А
Струм колектора в імпульсі: 450А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: півмісток IGBT; термістор NTC
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; Idm: 50А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; Idm: 50А; 35Вт; TO220FP

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220FP
Недоступний
IC: power switch; high-side; 1,2А; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70-6
IC: power switch; high-side; 1,2А; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70-6

18,50 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
P-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 180мм

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 1кВ; 3,3А; Idm: 18А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 1кВ; 3,3А; Idm: 18А; 86Вт

155,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,8нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005

0,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,1пФ
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC

8042,33 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

16768,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 600В
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 600В

4780,80 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

21123,95 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

8568,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

17444,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H; Urmax: 600В; Ic: 17А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H; Urmax: 600В; Ic: 17А

1167,01 грн

Використання:
двигуни
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
ECO-PAC 2