1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,загальний вхід; IGBT x3

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,загальний вхід; IGBT x3
Немає в наявності
Код товару: GD3600SGX170C4S
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GD3600SGX170C4S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,7кВ
Корпус: C4 140mm
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: загальний вхід; транзистор/транзистор
Струм колектора: 3,6кА
Струм колектора в імпульсі: 7,2кА
Технологія: Trench FS IGBT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: IGBT x3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402

6,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,2пФ
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 170В; DO214AA,SMB; SMD; 25А; SIDACtor®
Тиристор: TSS; Urmax: 170В; DO214AA,SMB; SMD; 25А; SIDACtor®

41,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
automotive; baseband equipment
Зворотна напруга макс.:
170В
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 330мм

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор

20670,96 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMiX® 3p
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2249,12 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V1
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А

14832,13 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; 679Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; 679Вт; Field Stop,Trench

3669,54 грн

Потужність розсіювання:
679Вт
Струм колектора в імпульсі:
330А
Технологія:
Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля:
IGBT
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

8874,82 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC

7460,10 грн

Вид виходу:
драйвер MOSFET
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

14823,89 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3