Модуль: IGBT; Urmax: 1,7кВ; Ic: 1,2кА; 7,8кВт; Field Stop,Trench

Немає в наявності
Код товару: FZ1200R17HP4B2BOSA2
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FZ1200R17HP4B2BOSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Зворотна напруга макс.: 1,7кВ
Потужність розсіювання: 7,8кВт
Струм колектора: 1,2кА
Струм колектора в імпульсі: 1,2кА
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; 14,3А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; 14,3А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
26В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 34,4А; Idm: 80А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 34,4А; Idm: 80А

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Недоступний
Наконечник ключа; 3/4"; 24,5x28мм; Зуби: 30
Наконечник ключа; 3/4"; 24,5x28мм; Зуби: 30

20604,43 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Кількість зубів:
30
Модель:
QuickRelease; з тріскачкою
Розмір гнізда - дюйм:
3/4"
Резистор: thin film; 5кОм; 0603; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 5кОм; 0603; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

2,90 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
5кОм
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN16; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN16; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Конденсатор: гибридний; ±20%; 35ВDC; SMD; 120мкФ; -55÷125°C
Конденсатор: гибридний; ±20%; 35ВDC; SMD; 120мкФ; -55÷125°C

Висота:
7,7мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
120мкФ
Недоступний
Реактор: багатошаровий; SMD; 0805; 4,7мкГн; 430мА; R: 0,43Ом; ±20%
Реактор: багатошаровий; SMD; 0805; 4,7мкГн; 430мА; R: 0,43Ом; ±20%

7,67 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - дюйм:
0805
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

17924,50 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 600В
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 600В

7764,83 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3402,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V3 62MM
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

1578,82 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
F1.1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А

14832,13 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; 679Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; 679Вт; Field Stop,Trench

3669,54 грн

Потужність розсіювання:
679Вт
Струм колектора в імпульсі:
330А
Технологія:
Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля:
IGBT
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

10376,34 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3