Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFN26N120P
1839,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFN26N120P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Заряд затвора: 255нКл
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±40В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 695Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 23А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Час готовності: 300нс
Недоступний
Test probe: screw-in; magnetic; 8A; Ø: 0.75mm; T-112; CuBe; 1.5N
Test probe: screw-in; magnetic; 8A; Ø: 0.75mm; T-112; CuBe; 1.5N

509,38 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
0,75мм
Довжина:
35,5мм
IC: пам'ять EEPROM; Microwire; 256x16бит; SOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; Microwire; 256x16бит; SOP8; послідовний

14,57 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
Microwire
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Заряд.пристр: мікропроцесорне; Li-Ion; 2А; 4,2В; Вих: USB
Заряд.пристр: мікропроцесорне; Li-Ion; 2А; 4,2В; Вих: USB

2941,59 грн

Вид акумулятора:
Li-Ion
Вид вихідного з'єднання:
USB
Властивості зарядних пристроїв:
заряджання контролюється мікропроцесорами; контроль заряджання для кожного каналу
Індикація:
LCD-дисплей
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 144В; 2,9А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 144В; 2,9А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

16,22 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
130В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 40,9÷45,2В; 25,6А; односпрямована; DO201AD
Діод: TVS; 1,5кВт; 40,9÷45,2В; 25,6А; односпрямована; DO201AD

47,52 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
36,8В
Корпус:
DO201AD
Монтаж:
THT
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2320,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний

1456,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний

1608,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
670нКл
Корпус:
SOT227B