Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 47А; SOT227B; пригвинчуваний

Немає в наявності
Код товару: B2M030120N
606,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 150
Крок додавання: 150
Код товару: B2M030120N
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode; виведення Кельвіна
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 223Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 47А
Струм стоку в імпульсі: 151А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; THT; SPDIP28
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; THT; SPDIP28

266,09 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DMAC x4; HLVD; PMP; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 62,5мВт; -55÷155°C; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 62,5мВт; -55÷155°C; 25ppm/°C

8,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,2кОм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 2мкГн; ±20%; 5,7x5,2x1,6мм
Реактор: дротяний; SMD; 2мкГн; ±20%; 5,7x5,2x1,6мм

18,31 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
5,7x5,2x1,6мм
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 250В; -20÷80%; THT; 7,5мм
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 250В; -20÷80%; THT; 7,5мм

14,57 грн

Допуск:
-20...80%
Ємність:
10нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); D3V; IP40; -25÷105°C
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); D3V; IP40; -25÷105°C

121,01 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
200000 цикли
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 250V

110,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: PNP; біполярний; Darlington; 100В; 10А; 125Вт; TO3PL
Транзистор: PNP; біполярний; Darlington; 100В; 10А; 125Вт; TO3PL

197,04 грн

Вид транзистора:
Darlington
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO3PL
Монтаж:
THT
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний

1456,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний

1608,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
670нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 188А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 188А; SOT227B; пригвинчуваний

1898,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B