Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 76А; SOT227B; пригвинчуваний

Немає в наявності
Код товару: DACMI120N1200
6047,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DACMI120N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: -10...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Робоча температура: -55...150°C
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 76А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
Дисковий шліфувальний диск; Ø: 115мм; Гранулювання: 120
Дисковий шліфувальний диск; Ø: 115мм; Гранулювання: 120

50,68 грн

Вид рукоятки:
монтажний отвір
Використання інструментів:
для видалення іржі; для зняття фарби; шліфування
Гранулювання:
120
Діаметр диску:
115мм
Недоступний
Генератор; 32,768МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 15пФ; ±20ppm; 3,3ВDC
Генератор; 32,768МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 15пФ; ±20ppm; 3,3ВDC

74,76 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL

3933,74 грн

Довжина проводу:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Конденсатор: поліпропиленовий; 20мкФ; 1,2кВDC; 15А; ±5%; -40÷70°C
Конденсатор: поліпропиленовий; 20мкФ; 1,2кВDC; 15А; ±5%; -40÷70°C

1891,79 грн

Виводи:
гвинти М8
Допуск:
±5%
Ємність:
20мкФ
Робоча напруга:
1,2кВ DC
Недоступний
Датчик: геркон; Контакти: NO; 750мА; макс.230В; 2м; -25÷75°C
Датчик: геркон; Контакти: NO; 750мА; макс.230В; 2м; -25÷75°C

2093,26 грн

Довжина проводу:
2м
Конфігурація контактів:
NO
Напруга перемикання:
макс. 230В
Робоча температура:
-25...75°C
IC: PMIC; SMD; -40÷105°C; SOP8; Топологія: buck; 90÷264ВAC
IC: PMIC; SMD; -40÷105°C; SOP8; Топологія: buck; 90÷264ВAC

51,95 грн

Вхідна напруга:
90...264В AC
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...105°C
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний

1608,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
670нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 188А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 188А; SOT227B; пригвинчуваний

1898,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний

1456,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP