Модуль; одиночний транзистор; 200В; 260А; SOT227H; пригвинчуваний

Немає в наявності
Код товару: DAMIA440N200
4391,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DAMIA440N200
Виробник: DACO Semiconductor
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Корпус: SOT227H
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга сток-джерело: 200В
Поляризація: польовий
Робоча температура: -55...150°C
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 260А
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Диференційний вимикач; Iном: 32А; Iдіф: 30мА; Полюси: 2; 400ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 32А; Iдіф: 30мА; Полюси: 2; 400ВAC

9694,64 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
30мА
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 3A; 250V

410,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Роз’єм: провід-плата; вилка; штекерний; Mini-Fit Sigma; PIN: 5
Роз’єм: провід-плата; вилка; штекерний; Mini-Fit Sigma; PIN: 5

46,25 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
5
Клас горючості:
UL94V-0
Колір:
чорний
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 43; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 43; THT; 1.5A

516,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний

1608,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
670нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 188А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 188А; SOT227B; пригвинчуваний

1898,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний

1456,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP