1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 30А; L2; Press-in PCB; 203Вт

Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 30А; L2; Press-in PCB; 203Вт
Немає в наявності
Код товару: MD30FSR120L2SF
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 12
Крок додавання: 12
Код товару: MD30FSR120L2SF
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Електричний монтаж: Press-in PCB
Корпус: L2
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: -4...22В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 60мОм
Потужність розсіювання: 203Вт
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 154А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: 3-фазовий міст MOSFET; термістор NTC
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний

1337,43 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний

2343,52 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний

1438,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
310нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC

8879,89 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
HB9434
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-5...20В
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний

1708,69 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; пригвинчуваний

1299,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
300нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 280А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 280А; SOT227B; пригвинчуваний

1988,09 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В