Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 85А; Press-in PCB; Idm: 170А

Немає в наявності
Код товару: WMSC016H12B1P6T
2586,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMSC016H12B1P6T
Виробник: WeEn Semiconductors
Електричний монтаж: Press-in PCB
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 16мОм
Потужність розсіювання: 146Вт
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм стока: 85А
Струм стоку в імпульсі: 170А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: півмісток MOSFET; термістор NTC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Молоток; слюсарний; 2кг; дерево (ясен)
Молоток; слюсарний; 2кг; дерево (ясен)

654,46 грн

Вага головки:
2кг
Вид інструменту:
слюсарний
Матеріал держака:
дерево (ясен)
Тип інструмента:
молоток
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт
Резистор: thick film; 91Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт

0,40 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: TVS; 46,5В; 6А; односпрямована; SOD323; Ch: 1
Діод: TVS; 46,5В; 6А; односпрямована; SOD323; Ch: 1

2,43 грн

Ємність:
60пФ
Зворотна напруга макс.:
36В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD323
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 600мА; 500мВт
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 600мА; 500мВт

3355,93 грн

Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
60В
Поляризація:
біполярний
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1210

40,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Кінцевий датчик; осердя; NO x2; 10А; PG11; IP40; 84x46x40мм; метал
Кінцевий датчик; осердя; NO x2; 10А; PG11; IP40; 84x46x40мм; метал

2851,63 грн

Вид головки:
осердя
Кількість монтажних отворів:
4
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація виходу:
NO x2
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний

2569,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
375нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний

2883,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний

1843,01 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний

1337,43 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний

2343,52 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний

1438,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
310нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC

8879,89 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
HB9434
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-5...20В