Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 85А; Press-in PCB; Idm: 170А

Немає в наявності
Код товару: WMSC016H12B1P6T
2586,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMSC016H12B1P6T
Виробник: WeEn Semiconductors
Електричний монтаж: Press-in PCB
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 16мОм
Потужність розсіювання: 146Вт
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм стока: 85А
Струм стоку в імпульсі: 170А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: півмісток MOSFET; термістор NTC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 20м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -25÷85°C
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 20м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -25÷85°C

10797,66 грн

Довжина кабелю:
20м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт
Резистор: thick film; 91Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт

0,40 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 10В; 39А; односпрямована; DO214AC,DO221AC,SMA
Діод: TVS; 0,6кВт; 10В; 39А; односпрямована; DO214AC,DO221AC,SMA

5,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
9В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; DO221AC; SMA
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 76А; Idm: 228А; 735Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 76А; Idm: 228А; 735Вт; TO247

387,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
260нКл
Корпус:
TO247
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,1А; SOT363
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,1А; SOT363

16,47 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
45В
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,18мкФ; 630ВDC; 18,5x8x21мм; THT
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,18мкФ; 630ВDC; 18,5x8x21мм; THT

12,73 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,18мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC

8879,89 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
HB9434
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-5...20В
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний

1708,69 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; пригвинчуваний

1299,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
300нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 280А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 280А; SOT227B; пригвинчуваний

1988,09 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 150А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 150А; SOT227B; пригвинчуваний

1268,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 300А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 300А; SOT227B; пригвинчуваний

1661,18 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В
Модуль; одиночний транзистор; 250В; 168А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 250В; 168А; SOT227B; пригвинчуваний

1288,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
364нКл
Корпус:
SOT227B