Module: gate driver board; pin header; SCALE™-2+; 1.2kV; 50kHz

Немає в наявності
Код товару: 2SC0115T2A0-12
2042,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2SC0115T2A0-12
Виробник: POWER INTEGRATIONS
Вид виходу: драйвер IGBT
Вихідний струм: 15А
Властивості інтегральних мікросхем: гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги: 1,2кВ
Монтаж: планка штирова
Напруга живлення: 14,5...15,5В DC
Робоча температура: -40...105°C
Технологія: SCALE™-2+
Тип напівпровідникового модуля: gate driver board
Частота: 50кГц
Недоступний
Гніздовий; OMNIMATE; 180; 150В; на PCB; паяння,SMT; позолочений
Гніздовий; OMNIMATE; 180; 150В; на PCB; паяння,SMT; позолочений

250,23 грн

Alias:
FFH6 S1/40V F1 B RL
Недоступний
Вимикач безпеки: лазерний сканер; OS32C; IP65; -10÷50°C; OUT: PNP
Вимикач безпеки: лазерний сканер; OS32C; IP65; -10÷50°C; OUT: PNP

0,00 грн

Властивості датчиків:
захист руки
Дальність:
3м
Допоміжні інтегровані контакти:
NPN/PNP
Зовнішні розміри:
133x104,5x142,7мм
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 10А; 5A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 10А; 5A/250ВAC

38,01 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
300000 цикли
Кількість пін:
4
Кількість режмів роботи:
1
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench

1719,94 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
291Вт
Струм колектора:
68А
Струм колектора в імпульсі:
68А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2923,58 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А

15400,26 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2067,09 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

12133,33 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; термістор NTC; 158Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; термістор NTC; 158Вт; Field Stop,Trench

2025,28 грн

Потужність розсіювання:
158Вт
Струм колектора в імпульсі:
68А
Технологія:
Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля:
IGBT
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench

1719,94 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
291Вт
Струм колектора:
68А
Струм колектора в імпульсі:
68А