1. Головна
  2. Пасивні елементи
  3. Індуктивні компоненти
  4. Дроселі

Реактор: дротяний; 0402; 36нГн; 480мА; ±5%; 380мОм

Реактор: дротяний; 0402; 36нГн; 480мА; ±5%; 380мОм
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 36541E36NJTDG
9,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 468
Код товару: 36541E36NJTDG
Виробник: TE Connectivity
Високосортність: 59
Допуск: ±5%
Індуктивність: 36нГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Опір макс.: 380мОм
Робочий струм: 0,48А
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 2,8ГГц
Недоступний
Резистор: thin film; 3,4Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 3,4Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

11,02 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 78,7Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 78,7Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 240ВAC; DPDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 240ВAC; DPDT; Iконтактів max: 10А

495,44 грн

Виводи:
конектори
Зовнішні розміри:
28x21,5x36мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
10А
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 13,7Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 13,7Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,56пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,56пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,56пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 953кОм; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 953кОм; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
953кОм
Реактор: дротяний; THT; 4мкГн; 5А; R: 12мкОм; -25÷105°C
Реактор: дротяний; THT; 4мкГн; 5А; R: 12мкОм; -25÷105°C

114,04 грн

Індуктивність:
4мкГн
Монтаж:
THT
Опір:
12мкОм
Робоча температура:
-25...105°C
Реактор: керамічний; SMD; 0201; 1,8нГн; -25÷85°C
Реактор: керамічний; SMD; 0201; 1,8нГн; -25÷85°C

2,47 грн

Індуктивність:
1,8нГн
Корпус - дюйм:
0201
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-25...85°C
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 13,8x12,5x5мм; 44А; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 13,8x12,5x5мм; 44А; H: 5мм

157,12 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; Iробочий: 1А; R: 180мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; Iробочий: 1А; R: 180мОм; ±10%

4,82 грн

Виводи:
2pin
Висота:
7,5мм
Діаметр:
5,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: керамічний; SMD; 4,3нГн; 320мА; -55÷125°C
Реактор: керамічний; SMD; 4,3нГн; 320мА; -55÷125°C

0,37 грн

Індуктивність:
4,3нГн
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-55...125°C
Робочий струм:
0,32А
Реактор: дротяний; SMD; 100нГн; ±20%; 13,8x12,9x5мм; 80А; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 100нГн; ±20%; 13,8x12,9x5мм; 80А; H: 5мм

62,09 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,1мкГн
Реактор: дротяний; 470мкГн; ±20%; 7,5x7,5x4,5мм; 260мА; H: 4,5мм
Реактор: дротяний; 470мкГн; ±20%; 7,5x7,5x4,5мм; 260мА; H: 4,5мм

75,39 грн

Висота:
4,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мГн