Реактор: дротяний; SMD; 0402; 33нГн; 260мА; R: 0,63Ом; ±2%; LQW; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQW15AN33NG00D
2,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: LQW15AN33NG00D
Виробник: MURATA
Високосортність: 25
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±2%
Індуктивність: 33нГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Монтаж: SMD
Опір: 0,63Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,26А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 3,2ГГц
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 390/500Вт; 80÷264ВDC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 390/500Вт; 80÷264ВDC; OUT: 1

6608,60 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
18В DC
Вихідний струм:
18,33А
Недоступний
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; HV73; 3кВ; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; HV73; 3кВ; -55÷155°C

11,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
4кВ
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 3В; SMD; SOD123; одиночний діод; BZT52B
Діод: зенера; 0,5Вт; 3В; SMD; SOD123; одиночний діод; BZT52B

9,50 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
3В
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1МОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 5,1МОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; NQ; 200В

3,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Колона з дзеркалом; F3SG-SR/PG; Властивості: 3 джгути; 1310мм
Колона з дзеркалом; F3SG-SR/PG; Властивості: 3 джгути; 1310мм

18080,36 грн

Властивості датчиків:
3 джгути
Довжина:
1310мм
Серія виробника:
F3SG-SR/PG
Супутні товари:
F3SG-PG_A/L
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 470мкФ; 4ВDC; Y; 2917; SMD; TCJ
Конденсатор: танталово-полімерний; 470мкФ; 4ВDC; Y; 2917; SMD; TCJ

103,90 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Корпус:
Y
Недоступний
IC: супервізор; детектор напруги; CMOS; Активний стан: низьке
IC: супервізор; детектор напруги; CMOS; Активний стан: низьке

42,45 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу RESET:
CMOS
Вид об'єднаної схеми:
детектор напруги
Кількість каналів:
1
Реактор: дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний з компенсацією

310,44 грн

Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; 13,7x13x6,5мм; 26А; H: 6,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; 13,7x13x6,5мм; 26А; H: 6,5мм

31,42 грн

Висота:
6,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 10мкГн; 380мА; R: 360мОм; ±10%; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 10мкГн; 380мА; R: 360мОм; ±10%; ферит

8,74 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
10мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; ±20%; 6А; порошкове залізо; 7мм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; ±20%; 6А; порошкове залізо; 7мм

62,09 грн

Висота:
7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
68мкГн
Реактор: дротяний; 22мкГн; 11,5x10,3x4мм; 66мОм
Реактор: дротяний; 22мкГн; 11,5x10,3x4мм; 66мОм

86,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Індуктивність:
22мкГн
Опір макс.:
66мОм
Розміри корпусу:
11,5x10,3x4мм
Реактор: дротяний; SMD; 150нГн; Iробочий: 22А; R: 2,8мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 150нГн; Iробочий: 22А; R: 2,8мОм; ±20%

35,48 грн

Alias:
UPI2X10530LR15
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,15мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; THT; 1,2мкГн; ±10%; Вив: осьові; 3,9мм; 19мОм
Реактор: дротяний; THT; 1,2мкГн; ±10%; Вив: осьові; 3,9мм; 19мОм

7,35 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,9мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
1,2мкГн