1. Головна
  2. Пасивні елементи
  3. Індуктивні компоненти
  4. Дроселі

Реактор: дротяний; SMD; 0805; 10мкГн; 150мА; R: 360мОм; ±10%; LB

Реактор: дротяний; SMD; 0805; 10мкГн; 150мА; R: 360мОм; ±10%; LB
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: LBR2012T100K
5,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LBR2012T100K
Виробник: TAIYO YUDEN
Допуск: ±10%
Індуктивність: 10мкГн
Корпус - дюйм: 0805
Корпус - мм: 2012
Матеріал стержня: ферит
Монтаж: SMD
Опір: 0,36Ом
Опір макс.: 468мОм
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 0,15А
Розміри корпусу: 2x1,25мм
Серія виробника: LB
Тестова частота: 2,52МГц
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 32МГц
Резистор: thick film; 210кОм; 0603; 100мВт; ±1%; RC; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thick film; 210кОм; 0603; 100мВт; ±1%; RC; 1,6x0,8x0,45мм

0,06 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: FFC/FPC; data; tinned; SMT; 500mA; 50V; PIN: 6; copper
Connector: FFC/FPC; data; tinned; SMT; 500mA; 50V; PIN: 6; copper

20,40 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
6
Максимальна напруга:
50В
Недоступний
Резистор: thick film; 12МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; RK73B; 75В
Резистор: thick film; 12МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; RK73B; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: metal oxide; 82кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø3,5x10мм; -55÷155°C
Резистор: metal oxide; 82кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø3,5x10мм; -55÷155°C

13,56 грн

Виводи:
осьові
Властивості резисторів:
вогнетривкі
Діаметр:
5мм
Довжина:
12мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 64; THT; 2.54mm
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 64; THT; 2.54mm

83,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
64
Ключ-комплект; 6-гранна,насадковий; хром-ванадієва сталь; 1/2"
Ключ-комплект; 6-гранна,насадковий; хром-ванадієва сталь; 1/2"

3229,22 грн

Вид ключа:
6-гранна; насадковий
Кількість в наборі/упаковці:
10шт.
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Модель:
з функцією утримування
IC: мікроконтролер ARM; LQFP100; 1,8÷3,3ВDC; Зовн.перерив: 79
IC: мікроконтролер ARM; LQFP100; 1,8÷3,3ВDC; Зовн.перерив: 79

325,65 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
резонатор 32кГц для RTC
Інтерфейс:
I2C x2; SPI x3; UART x4
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 0,12мкГн; 450мА; R: 220мОм; ±5%
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 0,12мкГн; 450мА; R: 220мОм; ±5%

4,43 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,12мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; R: 100мОм; ±20%; 8x8x4,2мм; 1,9А
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; R: 100мОм; ±20%; 8x8x4,2мм; 1,9А

10,90 грн

Висота:
4,2мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 10,5А; ±20%; Isat: 23А
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 10,5А; ±20%; Isat: 23А

30,54 грн

Висота:
4мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Корпус - мм:
3232
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 0,56мкГн; 520мА; R: 360мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 0,56мкГн; 520мА; R: 360мОм; ±20%

7,35 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,56мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Реактор: дротяний; THT; 100мГн; 9мА; ±5%; Растр: 5мм; Вив: радіальні
Реактор: дротяний; THT; 100мГн; 9мА; ±5%; Растр: 5мм; Вив: радіальні

93,77 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
100
Висота:
14мм
Діаметр:
10,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 330мкГн; 90мА; R: 13Ом; ±10%
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 330мкГн; 90мА; R: 13Ом; ±10%

7,54 грн

Високосортність:
20
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,33мГн
Корпус - дюйм:
1812
Реактор: феритовий; 220мкГн; 1,5А; R: 330мОм; ±10%
Реактор: феритовий; 220мкГн; 1,5А; R: 330мОм; ±10%

62,09 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,22мГн
Опір:
0,33Ом
Робочий струм:
1,5А