Реактор: дротяний; SMD; 0805; 2,2мкГн; R: 300мОм; ±20%; BR; 600мА

Немає в наявності
Код товару: BRL2012T2R2M
3,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: BRL2012T2R2M
Виробник: TAIYO YUDEN
Допуск: ±20%
Індуктивність: 2,2мкГн
Корпус - дюйм: 0805
Корпус - мм: 2012
Матеріал стержня: порошкове залізо; ферит
Монтаж: SMD
Опір: 0,3Ом
Опір макс.: 390мОм
Робоча температура: -40...105°C
Розміри: 1x1мм
Серія виробника: BR
Струм насичення: 0,6А
Тестова частота: 7,96МГц
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 0,2ГГц
Недоступний
Резистор: thick film; 4,22Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 4,22Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,89 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 5ВDC; Iупр: 3А; 120мА; RF
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 5ВDC; Iупр: 3А; 120мА; RF

534,09 грн

Зовнішні розміри:
2,1x1,8x2,9мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Модель реле:
1-фазний; PhotoMOS
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 10мА; TO220-3
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 10мА; TO220-3

100,10 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; SMT; 3A; 250V

729,85 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 13,5÷16,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвх: 167мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 13,5÷16,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвх: 167мА

140,02 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,133А
Вхідна напруга:
13,5...16,5В DC
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 820нГн; 350мА; R: 1,93Ом; ±5%; кераміка
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 820нГн; 350мА; R: 1,93Ом; ±5%; кераміка

21,54 грн

Високосортність:
45
Допуск:
±5%
Застосування реакторів:
Додатки RF
Індуктивність:
0,82мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 68нГн; 500мА; R: 0,38Ом; ±5%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 68нГн; 500мА; R: 0,38Ом; ±5%; LQW; 180мм

8,24 грн

Високосортність:
60
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
68нГн
Реактор: дротяний; SMD; 210нГн; R: 290мкОм; ±10%; 12x8x8мм; 70А
Реактор: дротяний; SMD; 210нГн; R: 290мкОм; ±10%; 12x8x8мм; 70А

98,20 грн

Висота:
8мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
210нГн
Матеріал стержня:
ферит
MHCB06030-R82M-R8A
MHCB06030-R82M-R8A

6,59 грн

Реактор: дротяний; SMD; 1210; 22мкГн; 550мА; R: 0,62Ом; ±20%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 22мкГн; 550мА; R: 0,62Ом; ±20%; LQW

23,44 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Реактор: керамічний; SMD; 0201; 3,3нГн; 500мА; R: 150мОм; -55÷125°C
Реактор: керамічний; SMD; 0201; 3,3нГн; 500мА; R: 150мОм; -55÷125°C

2,99 грн

Індуктивність:
3,3нГн
Корпус - дюйм:
0201
Монтаж:
SMD
Опір:
0,15Ом
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 4,7мкГн; 650мА; R: 0,195Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 4,7мкГн; 650мА; R: 0,195Ом; ±20%; LQH

10,14 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - дюйм:
1210