Реактор: дротяний; SMD; 0806; 2,2мкГн; 1,7А; R: 140мОм; ±20%

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DFE201610E-2R2M=P2
6,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DFE201610E-2R2M=P2
Виробник: MURATA
Високосортність: 8
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±20%
Індуктивність: 2,2мкГн
Корпус - дюйм: 0806
Корпус - мм: 2016
Матеріал стержня: порошкове залізо
Монтаж: SMD
Опір: 0,14Ом
Опір макс.: 140мОм
Робоча температура: -40...125°C
Робочий струм: 1,7А
Розміри корпусу: 2,2x1,8x1мм
Тестова частота: 1МГц
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0805

1,46 грн

Alias:
KAM21BR81H152KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%

6,97 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: common mode; THT; 15мГн; 1,9А; R: 279мОм; ±30%; 15x29x27мм
Реактор: common mode; THT; 15мГн; 1,9А; R: 279мОм; ±30%; 15x29x27мм

145,72 грн

Допуск:
±30%
Індуктивність:
15мГн
Монтаж:
THT
Опір:
279мОм
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%

9,50 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
SMD; 1,17мГн; 1,22А; Вим: 12,7x5,46x12,7мм; W: 12,7мм; A: 12,7мм
SMD; 1,17мГн; 1,22А; Вим: 12,7x5,46x12,7мм; W: 12,7мм; A: 12,7мм

82,36 грн

Висота:
5,46мм
Індуктивність:
1,17мГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
200мОм
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит

11,28 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
20
Діаметр:
8,7мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн

138,75 грн

Висота:
32,995мм
Індуктивність:
9,1мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
2,1мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C

14,83 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
56мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,35Ом