Реактор: дротяний; SMD; 0806; 680нГн; Iробочий: 4,2А; ±20%; Isat: 5А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SRP2012TMA-R68M
7,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SRP2012TMA-R68M
Виробник: BOURNS
Виводи: паяльні пункти
Високосортність: 10
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±20%
Індуктивність: 0,68мкГн
Корпус - дюйм: 0806
Корпус - мм: 2016
Матеріал стержня: порошкове залізо
Монтаж: SMD
Опір макс.: 36мОм
Робоча температура: -55...150°C
Робочий струм: 4,2А
Розміри: 2x1,6x1мм
Струм насичення: 5А
Тестова частота: 1МГц
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Резистор: thin film; 252Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 252Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

35,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
IC: мікроконтролер AVR; AVR128; TQFP32; 1,8÷5,5ВDC; Cmp: 3; AVR-DA
IC: мікроконтролер AVR; AVR128; TQFP32; 1,8÷5,5ВDC; Cmp: 3; AVR-DA

101,37 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
watchdog
Інтерфейс:
I2C x2; SPI x2; UPDI; USART x6
Блок живлення: імпульсний; 20ВDC; 11А; Вих: KYCON KPPX-4P; 220Вт
Блок живлення: імпульсний; 20ВDC; 11А; Вих: KYCON KPPX-4P; 220Вт

3232,39 грн

Вид блоку живлення:
мережевий; настільний
Вид вихідного з'єднання:
KYCON KPPX-4P
Вид вхідного роз'єму:
IEC C14
Вихідна напруга:
20В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 129кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 129кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

15,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Датчик: фотоелектричний; прямий; Дальність: 0÷500мм; PNP; 100мА
Датчик: фотоелектричний; прямий; Дальність: 0÷500мм; PNP; 100мА

3469,34 грн

Вид датчика:
прямий
Дальність:
0...0,5м
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 11,44÷12,03В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 11,44÷12,03В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
11,44...12,03В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 500В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 500В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

2,94 грн

Alias:
KGM31BCG2H220JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Реактор: дротяний; THT; 54мкГн; 12А; ±20%; 41,2x41,2x19,5мм; ферит
Реактор: дротяний; THT; 54мкГн; 12А; ±20%; 41,2x41,2x19,5мм; ферит

356,06 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
19,5мм
Діаметр:
41,2мм
Допуск:
±20%
Реактор: дротяний; SMD; 1,9мкГн; Iробочий: 19,8А; ±20%; Isat: 29,8А
Реактор: дротяний; SMD; 1,9мкГн; Iробочий: 19,8А; ±20%; Isat: 29,8А

58,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,9мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 180нГн; 65мА; R: 1,5Ом; ±10%; кераміка
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 180нГн; 65мА; R: 1,5Ом; ±10%; кераміка

14,76 грн

Високосортність:
10
Допуск:
±10%
Застосування реакторів:
Додатки RF
Індуктивність:
0,18мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 11нГн; 650мА; R: 0,11Ом; ±2%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 11нГн; 650мА; R: 0,11Ом; ±2%; LQW; 180мм

5,70 грн

Високосортність:
35
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
11нГн
Реактор: дротяний; SMD; 1515; 47мкГн; 800мА; ±20%; ферит; H: 1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1515; 47мкГн; 800мА; ±20%; ферит; H: 1,8мм

18,88 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - дюйм:
1515
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 2,4нГн; 2400мА; R: 0,026Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 2,4нГн; 2400мА; R: 0,026Ом; LQW; 180мм

6,34 грн

Високосортність:
18
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
2,4нГн
Реактор: дротяний; THT; L: 65,6мГн; 300мА; R: 2,95Ом; Вив: радіальні
Реактор: дротяний; THT; L: 65,6мГн; 300мА; R: 2,95Ом; Вив: радіальні

114,67 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
15,494мм
Індуктивність:
65,6мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
65,6мГн