Реактор: дротяний; SMD; 1,8мкГн; ±20%; M; 13,5x12,5x3,3мм

Немає в наявності
Код товару: JRPI1235M-1R8M
26,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: JRPI1235M-1R8M
Виробник: JANTEK
Допуск: ±20%
Індуктивність: 1,8мкГн
Монтаж: SMD
Розміри корпусу: 13,5x12,5x3,3мм
Серія виробника: M
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Резистор: thick film; 82,5кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW
Резистор: thick film; 82,5кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,1пФ
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 400В; 3А; Ifsm: 80А; SOD64; Ufmax: 1,4В; 100нс
Діод: випрямний; THT; 400В; 3А; Ifsm: 80А; SOD64; Ufmax: 1,4В; 100нс

22,05 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
SOD64
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 78,7Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 78,7Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 5м; вилка; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 3
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 5м; вилка; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 3

1803,73 грн

Використання:
харчова промисловість
Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; AS; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; AS; 500В; -55÷155°C

4,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 34,8кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 34,8кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,97 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 4А; R: 45,3мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 4А; R: 45,3мОм; Реактор: кільцевий

108,97 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
20мм
Застосування реакторів:
імпульсні блоки живлення
Індуктивність:
47мкГн
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; 30А; R: 3,7мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; 30А; R: 3,7мОм; Реактор: кільцевий

217,31 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
33,5мм
Застосування реакторів:
імпульсні блоки живлення
Індуктивність:
22мкГн
Реактор: дротяний; THT; 680мкГн; 6А; R: 205мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; 680мкГн; 6А; R: 205мОм; Реактор: кільцевий

446,66 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
52мм
Застосування реакторів:
імпульсні блоки живлення
Індуктивність:
0,68мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 100мкГн; 5А; R: 59мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; L: 100мкГн; 5А; R: 59мОм; Реактор: кільцевий

210,97 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
30мм
Індуктивність:
0,1мГн
Індуктивність @ IAC=0A:
172мкГн
Реактор: дротяний; THT; 12мГн; R: 75мОм; SC; 4А; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 12мГн; R: 75мОм; SC; 4А; 250ВAC; -25÷120°C

446,02 грн

Індуктивність:
12мГн
Максимальний струм:
4А
Монтаж:
THT
Опір:
75мОм
Реактор: дротяний; SMD; 330нГн; 10,6А; R: 4,85мОм; ±20%; ETQP3M
Реактор: дротяний; SMD; 330нГн; 10,6А; R: 4,85мОм; ±20%; ETQP3M

34,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,33мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 1000мкГн; 120мА; R: 6,1Ом; ±10%; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 1000мкГн; 120мА; R: 6,1Ом; ±10%; -40÷125°C

158,39 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
1мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
6,1Ом