Реактор: дротяний; SMD; 1008; 10мкГн; Iробочий: 900мА; R: 600мОм

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DFE252010F-100M=P2
6,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DFE252010F-100M=P2
Виробник: MURATA
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±20%
Індуктивність: 10мкГн
Корпус - дюйм: 1008
Корпус - мм: 2520
Матеріал стержня: порошкове залізо
Монтаж: SMD
Опір: 0,6Ом
Опір макс.: 600мОм
Робоча температура: -40...125°C
Робочий струм: 0,9А
Розміри корпусу: 2,7x2,2x1мм
Струм насичення: 1,3А
Тестова частота: 1МГц
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 38(33+5); гніздовий; промислова; WF48
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 38(33+5); гніздовий; промислова; WF48

836,92 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Зовнішній діаметр проводу:
11,5...24,5мм
Недоступний
Провід; BiT 1000 Power; 4G70мм2; тросик; Cu; ПВХ; чорний; 600В,1кВ
Провід; BiT 1000 Power; 4G70мм2; тросик; Cu; ПВХ; чорний; 600В,1кВ

3391,41 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я; що самогаситься
Недоступний
Резистор: thick film; 3,92МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV73-RT; 800В
Резистор: thick film; 3,92МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV73-RT; 800В

4,05 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 31,1В; 8А; односпрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,5кВт; 31,1В; 8А; односпрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
28В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
Вузька ножівка; Ø: 16мм; алюміній,нержавіюча сталь,пластмаса
Вузька ножівка; Ø: 16мм; алюміній,нержавіюча сталь,пластмаса

918,02 грн

Використання інструментів:
алюміній; нержавіюча сталь; пластмаса
Діаметр:
16мм
Ділення полотна:
6зуби/дюйм
Матеріал:
швидкорізальна кобальтова сталь HSS-Co
Недоступний
Резистор: thick film; 22,6кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 22,6кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

4,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5Ом; SMD; 1020; 3Вт; ±1%; WK73S; 2,5x5x0,6мм
Резистор: thick film; 7,5Ом; SMD; 1020; 3Вт; ±1%; WK73S; 2,5x5x0,6мм

4,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Реактор: дротяний; THT; 23,7мГн; 600мА; R: 780мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 23,7мГн; 600мА; R: 780мОм; 250ВAC; -25÷120°C

65,26 грн

Вид дроселя:
з компенсацією
Індуктивність:
23,7мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,78Ом
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 11,9x11x9,7мм; 18,5А; 8,9мОм
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 11,9x11x9,7мм; 18,5А; 8,9мОм

96,30 грн

Висота:
9,7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 27мкГн; ±20%; 320мА; 3x1,2x3мм; 940мОм
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 27мкГн; ±20%; 320мА; 3x1,2x3мм; 940мОм

11,85 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
27мкГн
Корпус - дюйм:
1212
Корпус - мм:
3030
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 4,1x4,1x2,1мм; 18,8А; H: 2,1мм
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 4,1x4,1x2,1мм; 18,8А; H: 2,1мм

39,91 грн

Висота:
2,1мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; ±20%; 16,6x15,5x10мм; 13А; H: 10мм
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; ±20%; 16,6x15,5x10мм; 13А; H: 10мм

305,37 грн

Висота:
10мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; THT; 8мГн; 1,5А; R: 310мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 8мГн; 1,5А; R: 310мОм; 250ВAC; -25÷120°C

79,19 грн

Вид дроселя:
з компенсацією
Індуктивність:
8мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,31Ом
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 7,1x6,6x3,8мм; 15А; H: 3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 7,1x6,6x3,8мм; 15А; H: 3,8мм

26,55 грн

Висота:
3,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн