1. Головна
  2. Пасивні елементи
  3. Індуктивні компоненти
  4. Дроселі

Реактор: дротяний; SMD; 1008; 680нГн; Iробочий: 5,3А; ±20%

Реактор: дротяний; SMD; 1008; 680нГн; Iробочий: 5,3А; ±20%
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SRP2512TMA-R68M
5,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1994
Крок додавання: 1994
Код товару: SRP2512TMA-R68M
Виробник: BOURNS
Виводи: паяльні пункти
Високосортність: 15
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±20%
Індуктивність: 0,68мкГн
Корпус - дюйм: 1008
Корпус - мм: 2520
Матеріал стержня: порошкове залізо
Монтаж: SMD
Робоча температура: -55...150°C
Робочий струм: 5,3А
Розміри: 2,5x2x1,2мм
Струм насичення: 5,5А
Тестова частота: 1МГц
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 90МГц
Кристал; 24,576МГц; THT; ±30ppm; ±5ppm/рік; 1мВт; 4,88мм; HC49/U
Кристал; 24,576МГц; THT; ±30ppm; ±5ppm/рік; 1мВт; 4,88мм; HC49/U

111,51 грн

Діапазон ємкості:
16пФ...30пФ
Довготривала стабільність:
±5ppm/рік
Допуск резонаторів:
±30ppm
Корпус:
HC49/U
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; на панель; ККД: 90%; Uізол: 1,5кВ; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; на панель; ККД: 90%; Uізол: 1,5кВ; OUT: 1

12145,86 грн

Вихідна напруга:
24В
Кількість виходів:
1
ККД:
90%
Монтаж:
на панель
Недоступний
IC: джерело еталонної напруги; 10В; ±0,05%; SO8; 10мА
IC: джерело еталонної напруги; 10В; ±0,05%; SO8; 10мА

540,42 грн

Допуск:
±0,05%
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Напруга еталонна:
10В
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 3мм; 10÷30ВDC; Ø6,5; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 3мм; 10÷30ВDC; Ø6,5; 2м; IP67

2090,09 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
3мм
Довжина відводів:
2м
Додаткові функції:
стан режиму роботи: LED
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷125°C

0,77 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Реактор: дротяний; THT; L: 6,3мГн; 4А; 3,5x15мм; H: 15,011мм; 58,8мОм
Реактор: дротяний; THT; L: 6,3мГн; 4А; 3,5x15мм; H: 15,011мм; 58,8мОм

229,35 грн

Висота:
15,011мм
Індуктивність:
6,3мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
6,3мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; 24А; Вим: 8,64x8,18x4мм; H: 4мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; 24А; Вим: 8,64x8,18x4мм; H: 4мм

58,92 грн

Висота:
4мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Корпус - мм:
3232
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 8,2нГн; 1600мА; R: 0,052Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 8,2нГн; 1600мА; R: 0,052Ом; ±2%; LQW

8,24 грн

Високосортність:
38
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
8,2нГн
Реактор: дротяний; THT; L: 108мкГн; 8А; R: 27мОм; 4,5x33,5мм
Реактор: дротяний; THT; L: 108мкГн; 8А; R: 27мОм; 4,5x33,5мм

328,81 грн

Виводи:
радіальні
Індуктивність:
108мкГн
Індуктивність одинарної обмотки:
108мкГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; 18,7А; ±20%; 19,1x19,05x7мм; H: 7мм
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; 18,7А; ±20%; 19,1x19,05x7мм; H: 7мм

233,78 грн

Висота:
7мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 12нГн; 1000мА; R: 0,09Ом; ±10%
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 12нГн; 1000мА; R: 0,09Ом; ±10%

21,54 грн

Високосортність:
50
Допуск:
±10%
Застосування реакторів:
Додатки RF
Індуктивність:
12нГн
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 330нГн; 85мА; R: 5,5Ом; ±5%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 330нГн; 85мА; R: 5,5Ом; ±5%; LQW; 180мм

5,70 грн

Високосортність:
30
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,33мкГн