1. Головна
  2. Пасивні елементи
  3. Індуктивні компоненти
  4. Дроселі

Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; 8,3А; R: 54,2мОм; ±20%; ETQP4M

Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; 8,3А; R: 54,2мОм; ±20%; ETQP4M
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ETQP4M100YFN
53,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ETQP4M100YFN
Виробник: PANASONIC
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±20%
Індуктивність: 10мкГн
Монтаж: SMD
Опір: 54,2мОм
Робоча температура: -40...150°C
Робочий струм: 8,3А
Розміри корпусу: 6,5x6x4,5мм
Серія виробника: ETQP4M
Тип реактора: дротяний
Конектор: поланка для конекторів; 6,4мм; 0,8мм; THT; латунь; 500В
Конектор: поланка для конекторів; 6,4мм; 0,8мм; THT; латунь; 500В

117,21 грн

Електричний монтаж:
THT
Загальна довжина:
18,1мм
Кількість ліній:
4
Максимальний струм:
15А
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 2,7В; SMD; SOD123; одиночний діод
Діод: зенера; 0,5Вт; 2,7В; SMD; SOD123; одиночний діод

1,63 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
2,7В
Корпус:
SOD123
Монтаж:
SMD
Радіатор: штампований; ребристий; BGA; синій; L: 42,5мм; W: 42,5мм
Радіатор: штампований; ребристий; BGA; синій; L: 42,5мм; W: 42,5мм

861,63 грн

Використання:
BGA
Висота:
17,5мм
Довжина:
42,5мм
Колір:
синій
Недоступний
Резистор: metal film; 210мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 210мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

2,55 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реактор: феритовий; THT; 1500мкГн; 300мА; R: 5,4Ом; ±5%; Ø6,5x12мм
Реактор: феритовий; THT; 1500мкГн; 300мА; R: 5,4Ом; ±5%; Ø6,5x12мм

0,00 грн

Високосортність:
60
Висота:
12мм
Діаметр:
6,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; SMD; 0402; 90,9Ом; 63мВт; ±1%; WR; 1x0,5мм
Резистор: thick film; SMD; 0402; 90,9Ом; 63мВт; ±1%; WR; 1x0,5мм

0,00 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJUP3F; 150В
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJUP3F; 150В

1,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: феритовий; 3,3мкГн; 8,9А; R: 20мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 3,3мкГн; 8,9А; R: 20мОм; ±20%

39,91 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Опір:
20мОм
Робочий струм:
8,9А
Реактор: дротяний; SMD; 150мкГн; 470мА; ±20%; 5,72мм; 600мОм
Реактор: дротяний; SMD; 150мкГн; 470мА; ±20%; 5,72мм; 600мОм

70,96 грн

Висота:
5,72мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,15мГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 270мкГн; 100мА; R: 11Ом; ±10%
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 270мкГн; 100мА; R: 11Ом; ±10%

7,54 грн

Високосортність:
20
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,27мГн
Корпус - дюйм:
1812
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 1,2А; ±20%; 3x2,8x2,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 1,2А; ±20%; 3x2,8x2,5мм

12,67 грн

Високосортність:
18
Висота:
2,5мм
Діаметр:
3мм
Допуск:
±20%
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 82мкГн; 200мА; R: 3,5Ом; ±10%
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 82мкГн; 200мА; R: 3,5Ом; ±10%

10,33 грн

Високосортність:
10
Допуск:
±10%
Індуктивність:
82мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Реактор: дротяний; SMD; 150мкГн; Iробочий: 800мА; ±10%; Isat: 1А
Реактор: дротяний; SMD; 150мкГн; Iробочий: 800мА; ±10%; Isat: 1А

16,03 грн

Висота:
5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,15мГн
Матеріал стержня:
ферит
Реактор: феритовий; 68мкГн; 3А; R: 90мОм; ±10%
Реактор: феритовий; 68мкГн; 3А; R: 90мОм; ±10%

60,19 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
68мкГн
Опір:
90мОм
Робочий струм:
3А