Реактор: дротяний; SMD; 1212; 15мкГн; 370мА; R: 0,38Ом; ±20%; LQH

Немає в наявності
Код товару: LQH3NPZ150MJRL
7,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: LQH3NPZ150MJRL
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±20%
Індуктивність: 15мкГн
Корпус - дюйм: 1212
Корпус - мм: 3030
Монтаж: SMD
Опір: 0,38Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 0,37А
Серія виробника: LQH
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 25МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 14,7МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 14,7МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,75 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Щиток запобіжників; 19мм; 30А; пригвинчуваний; Вив: гвинти M4
Щиток запобіжників; 19мм; 30А; пригвинчуваний; Вив: гвинти M4

1375,45 грн

Виводи:
гвинти M4
Властивості аксесуарів для запобіжників:
індикація перегорання запобіжника - LED
Кількість ліній:
4
Максимальний струм:
30А
Недоступний
Резистор: thick film; 26,1Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 26,1Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; PNP; на відбиття; Uживл: 10÷30ВDC; латунь
Датчик: фотоелектричний; PNP; на відбиття; Uживл: 10÷30ВDC; латунь

4863,16 грн

Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
PNP
Корпус датчика:
M18
Матеріал корпусу:
латунь
Антена: комунікаційна; LTE; 6дБі; зовнішня; 50Ом; -40÷85°C
Антена: комунікаційна; LTE; 6дБі; зовнішня; 50Ом; -40÷85°C

1082,74 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
LTE
Імпеданс:
50Ом
Коефіцієнт підсилення антени:
6дБі
Недоступний
Резистор: thick film; 56МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 56МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C

0,78 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 9,9нГн; 540мА; R: 0,14Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 9,9нГн; 540мА; R: 0,14Ом; ±2%; LQW

2,41 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
9,9нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний; SMD; 0,34мкГн; Iробочий: 24А; R: 1,1мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 0,34мкГн; Iробочий: 24А; R: 1,1мОм; ±20%

39,91 грн

Вид упаковки:
розсипний
Допуск:
±20%
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC; сонячні інвертори
Зовнішні розміри:
10,2x10,4x4мм
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 15мкГн; R: 510мОм; ±20%; 3x3x1мм; 540мА
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 15мкГн; R: 510мОм; ±20%; 3x3x1мм; 540мА

10,90 грн

Високосортність:
22
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
15мкГн
Реактор: дротяний; THT; 250мкГн; ±20%; 21,5x42,5мм; Вив: радіальні
Реактор: дротяний; THT; 250мкГн; ±20%; 21,5x42,5мм; Вив: радіальні

458,69 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
19,5мм
Діаметр:
42,5мм
Допуск:
±20%
Реактор: дротяний; SMD; 330нГн; Iробочий: 18А; R: 3мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 330нГн; Iробочий: 18А; R: 3мОм; ±20%

22,81 грн

Допуск:
±20%
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC; сонячні інвертори
Зовнішні розміри:
6,7x7,3x2,8мм
Індуктивність:
0,33мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; Iробочий: 1,5А; ±20%; Isat: 1,9А
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; Iробочий: 1,5А; ±20%; Isat: 1,9А

9,00 грн

Високосортність:
17
Висота:
4,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; 2,9А; R: 73мОм; ±20%; 10,3x10,4x4мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; 2,9А; R: 73мОм; ±20%; 10,3x10,4x4мм

32,63 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
73мОм
Реактор: дротяний; SMD; 1,2мкГн; ±20%; 5,7x5,5x3,1мм; 13,5А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 1,2мкГн; ±20%; 5,7x5,5x3,1мм; 13,5А; ферит

50,05 грн

Висота:
2,9мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,2мкГн