1. Головна
  2. Пасивні елементи
  3. Індуктивні компоненти
  4. Дроселі

Реактор: дротяний; SMD; 180нГн; ±20%; F; 7,2x6,9x2,8мм

Реактор: дротяний; SMD; 180нГн; ±20%; F; 7,2x6,9x2,8мм
Немає в наявності
Код товару: JRPI0603F-R18M
22,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: JRPI0603F-R18M
Виробник: JANTEK
Допуск: ±20%
Індуктивність: 0,18мкГн
Монтаж: SMD
Розміри корпусу: 7,2x6,9x2,8мм
Серія виробника: F
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; DO214AA,SMB; SMD; 150В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; DO214AA,SMB; SMD; 150В; 1А; ролик,cтрічка

2,66 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
10кОм
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,022мкФ; 250ВDC; 7,9x4,3x12,2мм
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,022мкФ; 250ВDC; 7,9x4,3x12,2мм

9,76 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,01кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3,01кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,21кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

1,39 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 51,1кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 51,1кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%

6,97 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: common mode; THT; 15мГн; 1,9А; R: 279мОм; ±30%; 15x29x27мм
Реактор: common mode; THT; 15мГн; 1,9А; R: 279мОм; ±30%; 15x29x27мм

145,72 грн

Допуск:
±30%
Індуктивність:
15мГн
Монтаж:
THT
Опір:
279мОм
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%

9,50 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит

11,28 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
20
Діаметр:
8,7мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн

138,75 грн

Висота:
32,995мм
Індуктивність:
9,1мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
2,1мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C

14,83 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
56мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,35Ом
Реактор: феритовий; 10мкГн; Iробочий: 10,1А; R: 20,6мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 10мкГн; Iробочий: 10,1А; R: 20,6мОм; ±20%

220,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
13,2x12,5x5мм
Індуктивність:
10мкГн