Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 14,5А; ±20%; Isat: 10,2А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IHLP3232DZER2R2M11
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 454
Крок додавання: 454
Код товару: IHLP3232DZER2R2M11
Виробник: VISHAY
Висота: 4мм
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±20%
Індуктивність: 2,2мкГн
Корпус - мм: 3232
Монтаж: SMD
Опір макс.: 9,41мОм
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 14,5А
Струм насичення: 10,2А
Тестова частота: 0,1МГц
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 25МГц
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 24МГц; QFN24; 4кБRAM,16кБFLASH; ШИМ: 2
IC: мікроконтролер ARM; 24МГц; QFN24; 4кБRAM,16кБFLASH; ШИМ: 2

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; SPI; UART x2; USART
Кількість входів/виходів:
17
Кількість каналів PWM:
2
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CRGCQ
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CRGCQ

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 39В; односпрямована; DO214AB,SMC; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 39В; односпрямована; DO214AB,SMC; ролик,cтрічка

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
39В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 470нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; 470нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1812

5,83 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,47мкФ
Корпус - дюйм:
1812
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 1÷30мм; PNP; LIGHT-ON; 20мА
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 1÷30мм; PNP; LIGHT-ON; 20мА

8013,19 грн

Дальність:
1...30мм
Довжина відводів:
0,3м
Довжина хвилі λd:
650нм
Зовнішні розміри:
12x24x3,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,9пФ
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 25нс; FBGA48; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 25нс; FBGA48; паралельний

2534,21 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
FBGA48
Монтаж:
SMD
Реактор: феритовий; SMD; 82мкГн; 3,95А; R: 104мОм; ±20%; PISTHV
Реактор: феритовий; SMD; 82мкГн; 3,95А; R: 104мОм; ±20%; PISTHV

98,20 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
82мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,104Ом
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 3нГн; 800мА; R: 0,11Ом; LQG
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 3нГн; 800мА; R: 0,11Ом; LQG

4,43 грн

Високосортність:
8
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,3нГн
Індуктивність:
3нГн
Реактор: дротяний; SMD; 5,6мкГн; Iробочий: 13,2А; R: 10,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 5,6мкГн; Iробочий: 13,2А; R: 10,2мОм; ±20%

50,05 грн

Виводи:
до лютування
Високосортність:
20
Висота:
5,1мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 22нГн; 350мА; R: 0,42Ом; ±3%
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 22нГн; 350мА; R: 0,42Ом; ±3%

6,97 грн

Високосортність:
8
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±3%
Індуктивність:
22нГн
Реактор: дротяний; THT; L: 510мкГн; Інд.один.обм: 510мкГн; ферит
Реактор: дротяний; THT; L: 510мкГн; Інд.один.обм: 510мкГн; ферит

28,13 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
17,78мм
Індуктивність:
510мкГн
Індуктивність одинарної обмотки:
0,51мГн
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; Iробочий: 5А; ±20%; Isat: 5,5А
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; Iробочий: 5А; ±20%; Isat: 5,5А

25,79 грн

Високосортність:
10
Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 82нГн; 200мА; R: 1,2Ом; ±5%
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 82нГн; 200мА; R: 1,2Ом; ±5%

5,07 грн

Високосортність:
8
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
82нГн