0,18 грн
| Допуск: ±1% |
| Корпус - дюйм: 1206 |
| Корпус - мм: 3216 |
| Монтаж: SMD |
6365,31 грн
| Вихідна напруга: 48В DC |
| Вихідний струм: 3,2А |
| Вхідна напруга: 18...75В DC |
| Захист: від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; протиперевантажувальні OPP |
856,56 грн
| Висота: 90мм |
| Діаметр: 35мм |
| Допуск: ±20% |
| Ємність: 1,5мФ |
3,32 грн
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±1% |
| Корпус - дюйм: 1210 |
| Корпус - мм: 3225 |
136,85 грн
| Вид пам’яті: SRAM |
| Вид упаковки: cтрічка; ролик |
| Корпус: SOIC8 |
| Монтаж: SMD |
11,59 грн
| Вид конденсатора: low ESR |
| Вид матеріалу: що самогаситься |
| Вид упаковки: cтрічка |
| Властивості конденсаторів: конденсатори із збільшеним ресурсом |
0,06 грн
| Допуск: ±1% |
| Корпус - дюйм: 0603 |
| Корпус - мм: 1608 |
| Монтаж: SMD |
8,30 грн
| Висота: 1,8мм |
| Допуск: ±20% |
| Індуктивність: 33мкГн |
| Корпус - дюйм: 1007 |
10,71 грн
| Високосортність: 15 |
| Висота: 4,2мм |
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±30% |
0,72 грн
| Високосортність: 16 |
| Допуск: ±0,1нГн |
| Індуктивність: 9,1нГн |
| Корпус - дюйм: 0402 |
1244,93 грн
| Індуктивність: 1,5мГн |
| Максимальний струм: 25А |
| Робоча температура: -40...125°C |
| Тип реактора: дротяний з компенсацією |
51,32 грн
| Висота: 6,2мм |
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±20% |
| Індуктивність: 0,68мкГн |
34,85 грн
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±20% |
| Індуктивність: 0,68мкГн |
| Монтаж: SMD |
2616,58 грн
| Індуктивність: 1,61мГн |
| Максимальний струм: 16А |
| Розміри корпусу: 64x42x65,5мм |
| Тип реактора: дротяний з компенсацією |