Реактор: дротяний; SMD; 200нГн; ±5%; M; 7,3x6,6x2,8мм

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: JRPI0603M-R20N
25,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 10
Код товару: JRPI0603M-R20N
Виробник: JANTEK
Допуск: ±5%
Індуктивність: 0,2мкГн
Монтаж: SMD
Розміри корпусу: 7,3x6,6x2,8мм
Серія виробника: M
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 3,2А
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 3,2А

6365,31 грн

Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
3,2А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1,5мФ; 385ВDC; Ø35x90мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1,5мФ; 385ВDC; Ø35x90мм

856,56 грн

Висота:
90мм
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1,5мФ
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

3,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C

136,85 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 400ВAC; 2кВDC; 10мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 400ВAC; 2кВDC; 10мм; ±10%; MKT

11,59 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид упаковки:
cтрічка
Властивості конденсаторів:
конденсатори із збільшеним ресурсом
Недоступний
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм

8,30 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Корпус - дюйм:
1007
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм

10,71 грн

Високосортність:
15
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн

0,72 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C

1244,93 грн

Індуктивність:
1,5мГн
Максимальний струм:
25А
Робоча температура:
-40...125°C
Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит

51,32 грн

Висота:
6,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%

34,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А

2616,58 грн

Індуктивність:
1,61мГн
Максимальний струм:
16А
Розміри корпусу:
64x42x65,5мм
Тип реактора:
дротяний з компенсацією