1. Головна
  2. Пасивні елементи
  3. Індуктивні компоненти
  4. Дроселі

Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; Iробочий: 4,4А; 4,4x4,4x1,9мм

Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; Iробочий: 4,4А; 4,4x4,4x1,9мм
Немає в наявності
Код товару: EXL1V0402-3R3-R
17,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: EXL1V0402-3R3-R
Виробник: EATON ELECTRONICS
Індуктивність: 3,3мкГн
Монтаж: SMD
Опір котушки: 34,2мОм
Робоча температура: -40...125°C
Робочий струм: 4,4А
Розміри корпусу: 4,4x4,4x1,9мм
Струм насичення: 4,4А
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 26МГц
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 125Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 125Вт

8507,99 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
10А
Електричне під'єднування:
затискна рейка
Недоступний
Резистор: thick film; 73,2Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 73,2Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
73,2Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CQ; 200В

0,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Суперконденсатор; THT; 30Ф; 3ВDC; ±20%; Ø12,5x34мм; 52,5мОм
Суперконденсатор; THT; 30Ф; 3ВDC; ±20%; Ø12,5x34мм; 52,5мОм

45,62 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
30Ф
Монтаж:
THT
Опір ESR:
52,5мОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0603

0,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 203Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 203Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C

116,57 грн

Індуктивність:
10,3мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,12Ом
Робоча напруга:
250В AC
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; Iробочий: 10А; ±20%; Isat: 13А
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; Iробочий: 10А; ±20%; Isat: 13А

60,19 грн

Висота:
2,9мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм

15,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
8,2мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 1,85А; ±20%; Isat: 2,3А
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 1,85А; ±20%; Isat: 2,3А

21,60 грн

Висота:
3,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм

15,84 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,36мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; 2,7x2,2x1мм; 2,2А; 240мОм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; 2,7x2,2x1мм; 2,2А; 240мОм

12,10 грн

Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
240мОм
Розміри корпусу:
2,7x2,2x1мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм

24,08 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн