Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; 1,2А; R: 370мОм; ±20%; VLS

Немає в наявності
Код товару: VLS201610HBX-4R7M-1
5,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: VLS201610HBX-4R7M-1
Виробник: TDK
Допуск: ±20%
Індуктивність: 4,7мкГн
Монтаж: SMD
Опір: 0,37Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 1,2А
Розміри корпусу: 2x1,6x1мм
Серія виробника: VLS
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0402; 125мВт; ±5%; AS; 50В
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0402; 125мВт; ±5%; AS; 50В

0,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thin film; 360Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 360Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
XO; 62,5МГц; 15пФ; ±45ppm; ±3ppm/рік; 7x5x1,3мм; 3,3В; -40÷85°C
XO; 62,5МГц; 15пФ; ±45ppm; ±3ppm/рік; 7x5x1,3мм; 3,3В; -40÷85°C

41,18 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
15пФ
Робоча напруга:
3,3В
Робоча температура:
-40...85°C
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; 300В; -55÷155°C

4,17 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 162Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 162Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; 150А; GBL; Ufmax: 1В
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; 150А; GBL; Ufmax: 1В

33,32 грн

Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
GBL
Пряма напруга макс.:
1В
Струм в імпульсі макс.:
150А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм

8,30 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Корпус - дюйм:
1007
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм

10,71 грн

Високосортність:
15
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн

0,72 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C

1244,93 грн

Індуктивність:
1,5мГн
Максимальний струм:
25А
Робоча температура:
-40...125°C
Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит

51,32 грн

Висота:
6,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%

34,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А

2616,58 грн

Індуктивність:
1,61мГн
Максимальний струм:
16А
Розміри корпусу:
64x42x65,5мм
Тип реактора:
дротяний з компенсацією