Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; 12,8x11x6,3мм; 18А; H: 6,3мм

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: F2D3-1265-4R7M
62,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2400
Крок додавання: 2400
Код товару: F2D3-1265-4R7M
Виробник: BEL
Висота: 6,3мм
Допуск: ±20%
Індуктивність: 4,7мкГн
Монтаж: SMD
Робоча температура: -40...125°C
Робочий струм: 12А
Розміри: 11x6,3x12,8мм
Розміри корпусу: 12,8x11x6,3мм
Струм насичення: 18А
Тестова частота: 0,1МГц
Тип реактора: дротяний
Резистор: thick film; 910Ом; 1210; 500мВт; ±1%; AC; 3,1x2,6x0,55мм
Резистор: thick film; 910Ом; 1210; 500мВт; ±1%; AC; 3,1x2,6x0,55мм

1,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Блок живлення: імпульсний; плагін,мережевий,штепсельний; 25Вт
Блок живлення: імпульсний; плагін,мережевий,штепсельний; 25Вт

563,86 грн

Вид блоку живлення:
мережевий; плагін; штепсельний
Вид вихідного з'єднання:
USB C Power Delivery
Вихідна напруга:
5...12В DC
Відповідність стандарту:
Energy efficiency Level VI
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; PIN: 3; прямий; затискання; nylon
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; PIN: 3; прямий; затискання; nylon

108,97 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
3
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 150мОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; WR12; 200В
Резистор: thick film; 150мОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; WR12; 200В

1,92 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
0612
Недоступний
Пристрій захисту: від перенапруги; U проб.тип: 470В; Ø: 8мм
Пристрій захисту: від перенапруги; U проб.тип: 470В; Ø: 8мм

95,03 грн

Висота:
6,7мм
Діаметр:
8мм
Імпульсна макс. напруга:
700В
Пробивна типова напруга:
470В
Мікроперемикач TACT; SPST-NO; Поз: 2; 0,05A/24ВDC; THT; немає; B3F
Мікроперемикач TACT; SPST-NO; Поз: 2; 0,05A/24ВDC; THT; немає; B3F

32,31 грн

Виводи:
для друку; прямі
Висота кнопки:
7,3мм
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C; 500мА
Резистор: thick film; 160Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C; 500мА

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
160Ом
Реактор: дротяний; THT; 4мкГн; 5А; R: 12мкОм; -25÷105°C
Реактор: дротяний; THT; 4мкГн; 5А; R: 12мкОм; -25÷105°C

114,04 грн

Індуктивність:
4мкГн
Монтаж:
THT
Опір:
12мкОм
Робоча температура:
-25...105°C
Реактор: керамічний; SMD; 0201; 1,8нГн; -25÷85°C
Реактор: керамічний; SMD; 0201; 1,8нГн; -25÷85°C

2,47 грн

Індуктивність:
1,8нГн
Корпус - дюйм:
0201
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-25...85°C
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 13,8x12,5x5мм; 44А; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 13,8x12,5x5мм; 44А; H: 5мм

157,12 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; Iробочий: 1А; R: 180мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; Iробочий: 1А; R: 180мОм; ±10%

4,82 грн

Виводи:
2pin
Висота:
7,5мм
Діаметр:
5,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: керамічний; SMD; 4,3нГн; 320мА; -55÷125°C
Реактор: керамічний; SMD; 4,3нГн; 320мА; -55÷125°C

0,37 грн

Індуктивність:
4,3нГн
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-55...125°C
Робочий струм:
0,32А
Реактор: дротяний; SMD; 100нГн; ±20%; 13,8x12,9x5мм; 80А; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 100нГн; ±20%; 13,8x12,9x5мм; 80А; H: 5мм

62,09 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,1мкГн
Реактор: дротяний; 470мкГн; ±20%; 7,5x7,5x4,5мм; 260мА; H: 4,5мм
Реактор: дротяний; 470мкГн; ±20%; 7,5x7,5x4,5мм; 260мА; H: 4,5мм

75,39 грн

Висота:
4,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мГн