Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; 30А; R: 3,98мОм; ±20%; IHLP

Немає в наявності
Код товару: IHLP6767GZER4R7M11
163,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 200
Крок додавання: 200
Код товару: IHLP6767GZER4R7M11
Виробник: VISHAY
Властивості дроселів: дуже низький рівень акустичного шуму; екрановані; на великий струм; низька величина DCR/uH
Допуск: ±20%
Індуктивність: 4,7мкГн
Монтаж: SMD
Опір: 3,98мОм
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 30А
Розміри корпусу: 17,15x17,15x7мм
Серія виробника: IHLP
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 37; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 37; THT; 3A; 100V

107,07 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 1,02кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 1,02кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

2,86 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 9,09Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,09Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

3,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 109Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 109Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 15ВDC; AM2DM-RZ
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 15ВDC; AM2DM-RZ

365,56 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Кількість виходів:
2
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА; SIP7
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА; SIP7

233,78 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Резистор: thick film; 9,53кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,53кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

3,73 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%

6,97 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%

9,50 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит

11,28 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
20
Діаметр:
8,7мм
Допуск:
±10%
Реактор: феритовий; 330нГн; Iробочий: 37,3А; R: 1,27мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 330нГн; Iробочий: 37,3А; R: 1,27мОм; ±20%

67,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
10,8x10x5,4мм
Індуктивність:
0,33мкГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн

138,75 грн

Висота:
32,995мм
Індуктивність:
9,1мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
2,1мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C

14,83 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
56мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,35Ом
Реактор: феритовий; 15мкГн; Iробочий: 8,2А; R: 30,8мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 15мкГн; Iробочий: 8,2А; R: 30,8мОм; ±20%

191,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
13,2x12,5x5мм
Індуктивність:
15мкГн