Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 1,6А; ±20%; Isat: 1,2А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ASPI-0315FS-4R7M-T2
22,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: ASPI-0315FS-4R7M-T2
Виробник: ABRACON
Висота: 1,5мм
Допуск: ±20%
Індуктивність: 4,7мкГн
Матеріал стержня: ферит
Монтаж: SMD
Опір макс.: 270мОм
Робоча температура: -25...120°C
Робочий струм: 1,6А
Розміри: 3x3мм
Струм насичення: 1,2А
Тестова частота: 0,1МГц
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 46МГц
Недоступний
Роз’єм: військовий; гніздо; штекерний; військовий; PIN: 5; THT; 4,5А
Роз’єм: військовий; гніздо; штекерний; військовий; PIN: 5; THT; 4,5А

3350,23 грн

Connector family:
військовий
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
Commercial Standard
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 5,6мкГн; ±20%; PV; 7,3x6,6x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 5,6мкГн; ±20%; PV; 7,3x6,6x4,8мм

15,33 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
5,6мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,3x6,6x4,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 360кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 360кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 806Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 806Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Діод: перемикальний; SMD; 85В; 0,2А; 4нс; SOT363; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 85В; 0,2А; 4нс; SOT363; Ufmax: 1,25В

6,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
85В
Корпус:
SOT363
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 100мкГн; 40мА; R: 11Ом; ±10%
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 100мкГн; 40мА; R: 11Ом; ±10%

10,71 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,1мГн
Корпус - дюйм:
1210
Реактор: дротяний; THT; 100000мкГн; 0,02А; R: 235Ом; ±10%; Ø8,5x11мм
Реактор: дротяний; THT; 100000мкГн; 0,02А; R: 235Ом; ±10%; Ø8,5x11мм

47,52 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
8,5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
100мГн
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 1,4А; R: 160мОм; ±10%; Ø8,5x11мм
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 1,4А; R: 160мОм; ±10%; Ø8,5x11мм

86,80 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
8,5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
47мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 12мкГн; 0,97А; R: 0,21Ом
Реактор: дротяний; SMD; 12мкГн; 0,97А; R: 0,21Ом

8,05 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
12мкГн
Корпус - мм:
0403
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 10А; R: 13,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 10А; R: 13,2мОм; ±20%

57,65 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
13,2мОм
Реактор: common mode; THT; 1,1мГн; 2А; R: 65мОм; -30÷50%; 3мм
Реактор: common mode; THT; 1,1мГн; 2А; R: 65мОм; -30÷50%; 3мм

74,13 грн

Довжина відводів:
3мм
Допуск:
-30...50%
Індуктивність:
1,1мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 39мкГн; 1,37А; R: 0,14Ом
Реактор: дротяний; SMD; 39мкГн; 1,37А; R: 0,14Ом

14,06 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
39мкГн
Корпус - мм:
1005