Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 8,3x8,3x4,2мм; 4,55А

Немає в наявності
Код товару: PA4338.682NLT
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: PA4338.682NLT
Виробник: YAGEO
Висота: 4,2мм
Допуск: ±20%
Індуктивність: 6,8мкГн
Монтаж: SMD
Опір макс.: 31,2мОм
Робоча температура: -40...125°C
Розміри корпусу: 8,3x8,3x4,2мм
Струм насичення: 4,55А
Тестова частота: 0,1МГц
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 17; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 17; SMT; straight

59,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 100ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 100ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0603

1,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
47нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 36,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 10; гніздовий; промислова; прямий; 7,5А
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 10; гніздовий; промислова; прямий; 7,5А

4260,02 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
10
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C

116,57 грн

Індуктивність:
10,3мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,12Ом
Робоча напруга:
250В AC
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 13А; ±20%; Isat: 17А
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 13А; ±20%; Isat: 17А

60,82 грн

Висота:
2,9мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм

15,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
8,2мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; R: 3,5мОм; ±20%; 9,8x8,5x4мм; 32А
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; R: 3,5мОм; ±20%; 9,8x8,5x4мм; 32А

65,89 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм

15,84 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,36мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; 25А; 96мОм; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; 25А; 96мОм; -40÷125°C

11,40 грн

Індуктивність:
2,2мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
96мОм
Робоча температура:
-40...125°C
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм

24,08 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн