Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; M; 7x6,6x1,3мм

Немає в наявності
Код товару: JRPI0615M-8R2M
13,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: JRPI0615M-8R2M
Виробник: JANTEK
Допуск: ±20%
Індуктивність: 8,2мкГн
Монтаж: SMD
Розміри корпусу: 7x6,6x1,3мм
Серія виробника: M
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI; 28Вт; 12÷40ВDC; 100÷700мА
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI; 28Вт; 12÷40ВDC; 100÷700мА

3824,13 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
12...40В DC
Вихідний струм:
100...700мА
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1,25кА; Iвих: 5А; 0,5@max20ВА
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1,25кА; Iвих: 5А; 0,5@max20ВА

2519,01 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
1,25кА
Діаметр внутрішній:
51мм
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; 2512; 1Вт; ±1%; 250В; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 3Ом; 2512; 1Вт; ±1%; 250В; 200ppm/°C

2,84 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Опір:
3Ом
Недоступний
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4,5/-4,5А; Idm: 12А
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4,5/-4,5А; Idm: 12А

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3/6,7нКл
Корпус:
SOP8
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0402; 100мВт; ERJ2GE0; 50В
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0402; 100мВт; ERJ2GE0; 50В

0,89 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Датчик: температури і вологості; 0÷100%RH; -40÷70°C; ±2%; IP64
Датчик: температури і вологості; 0÷100%RH; -40÷70°C; ±2%; IP64

1462,88 грн

Діапазон вимірювання вологості:
0...100% RH
Діапазон вимірювання температури:
-40...70°C
Допуск:
±2%
Клас герметичності:
IP64
Реактор: дротяний; THT; 10мкГн; 500мА; R: 1,5Ом; ±10%; Ø6,8x19,05мм
Реактор: дротяний; THT; 10мкГн; 500мА; R: 1,5Ом; ±10%; Ø6,8x19,05мм

209,07 грн

Виводи:
осьові
Висота:
19,05мм
Діаметр:
6,8мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; R: 12мОм; SC; 15А; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; R: 12мОм; SC; 15А; 250ВAC; -25÷120°C

330,72 грн

Індуктивність:
1мГн
Максимальний струм:
15А
Монтаж:
THT
Опір:
12мОм
Реактор: дротяний; THT; 270мкГн; Iробочий: 1,5А; R: 500мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 270мкГн; Iробочий: 1,5А; R: 500мОм; ±10%

24,39 грн

Виводи:
2pin
Висота:
13,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; 4,4А; R: 41,6мОм; ±20%; ETQP4M
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; 4,4А; R: 41,6мОм; ±20%; ETQP4M

39,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; THT; 470мкГн; 450мА; R: 1,05Ом; ±10%; 1300
Реактор: дротяний; THT; 470мкГн; 450мА; R: 1,05Ом; ±10%; 1300

51,32 грн

Висота:
13,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,47мГн
Реактор: дротяний; SMD; 2,5мкГн; 2,5А; R: 35мОм; ±20%; 6,5x6,5x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,5мкГн; 2,5А; R: 35мОм; ±20%; 6,5x6,5x4,8мм

30,41 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,5мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
35мОм
Реактор: дротяний з компенсацією; THT; 5,5мГн; R: 28мОм; SCF; 5А
Реактор: дротяний з компенсацією; THT; 5,5мГн; R: 28мОм; SCF; 5А

309,17 грн

Індуктивність:
5,5мГн
Максимальний струм:
5А
Монтаж:
THT
Опір:
28мОм