Реактор: дротяний; THT; 13,4мГн; 800мА; R: 500мОм; 250ВAC; -25÷120°C

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SSRH7HS-M08134
63,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SSRH7HS-M08134
Виробник: KEMET
Вид дроселя: з компенсацією
Індуктивність: 13,4мГн
Монтаж: THT
Опір: 0,5Ом
Робоча напруга: 250В AC
Робоча температура: -25...120°C
Робочий струм: 0,8А
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; SMT; 3A; 250V

128,61 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 11,8кОм; 0402; 63мВт; ±1%; AC; 1x0,5x0,32мм
Резистор: thick film; 11,8кОм; 0402; 63мВт; ±1%; AC; 1x0,5x0,32мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 600В; 12А; Ifsm: 90А; TO220ACIns; туба; 23нс
Діод: випрямний; THT; 600В; 12А; Ifsm: 90А; TO220ACIns; туба; 23нс

125,44 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220ACIns
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; LQFP100; 1,8÷3,3ВDC; Зовн.перерив: 79
IC: мікроконтролер ARM; LQFP100; 1,8÷3,3ВDC; Зовн.перерив: 79

193,23 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
резонатор 32кГц для RTC
Інтерфейс:
I2C x2; SPI x3; UART x4
Недоступний
Роз’єм: затискна планка; роз'єм живлення; OMNIMATE; 16А; 320В
Роз’єм: затискна планка; роз'єм живлення; OMNIMATE; 16А; 320В

133,68 грн

Alias:
LSF-SMT 3.50/12/135 3.5SN BK TU
Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
16,4мм
Електричний монтаж:
THT; пружинний затиск
Недоступний
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; 2x1,25x0,5мм
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; 2x1,25x0,5мм

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 120ВAC; 3PDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 120ВAC; 3PDT; Iконтактів max: 10А

1958,31 грн

Виводи:
до лютування
Конфігурація контактів:
3PDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgCdO
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%

6,97 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%

9,50 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит

11,28 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
20
Діаметр:
8,7мм
Допуск:
±10%
Реактор: феритовий; 330нГн; Iробочий: 37,3А; R: 1,27мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 330нГн; Iробочий: 37,3А; R: 1,27мОм; ±20%

67,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
10,8x10x5,4мм
Індуктивність:
0,33мкГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн

138,75 грн

Висота:
32,995мм
Індуктивність:
9,1мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
2,1мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C

14,83 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
56мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,35Ом
Реактор: феритовий; 15мкГн; Iробочий: 8,2А; R: 30,8мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 15мкГн; Iробочий: 8,2А; R: 30,8мОм; ±20%

191,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
13,2x12,5x5мм
Індуктивність:
15мкГн