Реактор: дротяний; THT; 3,5А; R: 5мОм; -20÷50%; DTS-10; вертикальне

Немає в наявності
Код товару: DTS-10/0,068/3,5-V
67,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DTS-10/0,068/3,5-V
Виробник: FERYSTER
Вид дроселя: кільцевий
Допуск: -20...50%
Застосування реакторів: гасіння вищих гармонік; імпульсні блоки живлення; фільтри EMI/RFI; як перешкодоподавляючі елементи
Індуктивність одинарної обмотки: 68мкГн
Кількість обмоток: 2
Монтаж: THT
Опір: 5мОм
Просторова орієнтація: вертикальне
Растр виводів: 6x5мм
Робоча напруга: 230В AC
Робочий струм: 3,5А
Серія виробника: DTS-10
Тестова частота: 10кГц
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Вага; електронна,складська; Навант.вагі макс: 60кг; -10÷40°C
Вага; електронна,складська; Навант.вагі макс: 60кг; -10÷40°C

86665,08 грн

Батарея/акумулятор:
немає
Вид ваги:
електронна; складська
Вид вжитого дисплея:
Dot matrix
Властивості складських пристроїв:
автоматичне тарування; застереження від перевантаженням
Недоступний
Patch cord; S/FTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 10м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 10м; тросик

426,38 грн

Будова екрану:
обплетення з алюмінієвих дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Резистор: thick film; 2,67кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,67кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; RK73B; 200В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; RK73B; 200В

0,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 17,1А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 17,1А; Idm: 50А

26,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 360Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 360Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: осьовий; THT; 18мкГн; 1,28А; R: 44мОм; ±10%; Ø6,73x17,78мм
Реактор: осьовий; THT; 18мкГн; 1,28А; R: 44мОм; ±10%; Ø6,73x17,78мм

140,02 грн

Виводи:
осьові
Висота:
17,78мм
Діаметр:
6,73мм
Допуск:
±10%
Реактор: осьовий; THT; 100нГн; 1,1А; R: 70мОм; ±10%; Ø2,41x6,35мм
Реактор: осьовий; THT; 100нГн; 1,1А; R: 70мОм; ±10%; Ø2,41x6,35мм

96,30 грн

Виводи:
осьові
Висота:
6,35мм
Діаметр:
2,41мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 470мкГн; Iробочий: 1,1А; R: 900мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 470мкГн; Iробочий: 1,1А; R: 900мОм; ±10%

20,91 грн

Виводи:
2pin
Висота:
13,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 270нГн; 350мА; R: 1Ом; ±2%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 270нГн; 350мА; R: 1Ом; ±2%; LQW; 180мм

2,79 грн

Високосортність:
48
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
0,27мкГн
Реактор: осьовий; THT; 8,2мГн; 26мА; R: 119Ом; ±10%; Ø4,11x10,41мм
Реактор: осьовий; THT; 8,2мГн; 26мА; R: 119Ом; ±10%; Ø4,11x10,41мм

92,50 грн

Виводи:
осьові
Висота:
10,41мм
Діаметр:
4,11мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; 6,7А; R: 12мОм; ±20%; ETQP3M
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; 6,7А; R: 12мОм; ±20%; ETQP3M

34,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; THT; 2,5А; -20÷50%; DTS-12.5; вертикальне; 1мГн
Реактор: дротяний; THT; 2,5А; -20÷50%; DTS-12.5; вертикальне; 1мГн

176,76 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Допуск:
-20...50%
Застосування реакторів:
гасіння вищих гармонік; імпульсні блоки живлення; фільтри EMI/RFI; як перешкодоподавляючі елементи
Індуктивність одинарної обмотки:
1мГн