Реактор: дротяний; THT; 4мГн; 8А; R: 14,7мОм; 1кВAC; -40÷120°C

Немає в наявності
Код товару: SCR25XV-080-1R2A018JH
546,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 30
Крок додавання: 30
Код товару: SCR25XV-080-1R2A018JH
Виробник: KEMET
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Індуктивність: 4мГн
Монтаж: THT
Опір: 14,7мОм
Робоча напруга: 1кВ AC
Робоча температура: -40...120°C
Робочий струм: 8А
Розміри: 27,5x33,5x38,5мм
Тип реактора: дротяний
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 5÷10ВDC; 5А; 0÷35ВDC; SSR2
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 5÷10ВDC; 5А; 0÷35ВDC; SSR2

997,21 грн

Зовнішні розміри:
12,7x15,7x29мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Модель реле:
1-фазний
Напруга перемикання:
0...35В DC
Конденсатор: електролітичний; SMD; 150мкФ; 16ВDC; Ø6,3x5,8мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 150мкФ; 16ВDC; Ø6,3x5,8мм; ±20%

31,68 грн

Висота:
5,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
підвищена температура пайки
Діаметр:
6,3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 274Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 274Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 121Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 121Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 1,35кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,35кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 33мкФ; 4ВDC; Ø4x5,4мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 33мкФ; 4ВDC; Ø4x5,4мм; ±20%

3,51 грн

Висота:
5,4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
4мм
Допуск:
±20%
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 100мкГн; 40мА; R: 11Ом; ±10%
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 100мкГн; 40мА; R: 11Ом; ±10%

10,71 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,1мГн
Корпус - дюйм:
1210
Реактор: дротяний; THT; 100000мкГн; 0,02А; R: 235Ом; ±10%; Ø8,5x11мм
Реактор: дротяний; THT; 100000мкГн; 0,02А; R: 235Ом; ±10%; Ø8,5x11мм

47,52 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
8,5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
100мГн
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 1,4А; R: 160мОм; ±10%; Ø8,5x11мм
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 1,4А; R: 160мОм; ±10%; Ø8,5x11мм

86,80 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
8,5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
47мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 12мкГн; 0,97А; R: 0,21Ом
Реактор: дротяний; SMD; 12мкГн; 0,97А; R: 0,21Ом

8,05 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
12мкГн
Корпус - мм:
0403
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 10А; R: 13,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 10А; R: 13,2мОм; ±20%

57,65 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
13,2мОм
Реактор: дротяний; SMD; 39мкГн; 1,37А; R: 0,14Ом
Реактор: дротяний; SMD; 39мкГн; 1,37А; R: 0,14Ом

14,06 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
39мкГн
Корпус - мм:
1005
Реактор: дротяний; SMD; 330мкГн; Iробочий: 1,04А; R: 574мОм; ±20%; DR
Реактор: дротяний; SMD; 330мкГн; Iробочий: 1,04А; R: 574мОм; ±20%; DR

43,72 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,33мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
574мОм