Реактор: film; SMD; 01005; 10нГн; 140мА; R: 2,5Ом; ±3%; LQP; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQP02TN10NH02L
0,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 40000
Крок додавання: 40000
Код товару: LQP02TN10NH02L
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±3%
Індуктивність: 10нГн
Корпус - дюйм: 01005
Корпус - мм: 0402
Монтаж: SMD
Опір: 2,5Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,14А
Серія виробника: LQP
Тип реактора: film
Частота резонансна: 4ГГц
Трансформатор: LAN; SMD; -1дБ; Мережа: Ethernet 10/100Mб/с; 0÷70°C
Трансформатор: LAN; SMD; -1дБ; Мережа: Ethernet 10/100Mб/с; 0÷70°C

284,47 грн

Вид мережі:
Ethernet 10/100Mб/с
Кількість портів:
1
Коефіцієнт гасіння:
-1дБ
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 47мкГн; R: 1,7Ом; ±10%; LB; -40÷105°C
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 47мкГн; R: 1,7Ом; ±10%; LB; -40÷105°C

3,03 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 33мкГн; 160мА; R: 4Ом
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 33мкГн; 160мА; R: 4Ом

10,07 грн

Високосортність:
50
Властивості дроселів:
висока вологостійкість
Індуктивність:
33мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Реактор: феритовий; SMD; 1206; 2,2мкГн; 50мА; R: 600мОм; A: 3,2мм
Реактор: феритовий; SMD; 1206; 2,2мкГн; 50мА; R: 600мОм; A: 3,2мм

3,36 грн

Вимір D:
0,5мм
Високосортність:
45
Індуктивність:
2,2мкГн
Корпус - дюйм:
1206
Реактор: дротяний; THT; 18мГн; 150мА; R: 38Ом; ±10%; Ø9,5x11,5мм
Реактор: дротяний; THT; 18мГн; 150мА; R: 38Ом; ±10%; Ø9,5x11,5мм

25,98 грн

Виводи:
2pin
Висота:
11,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: багатошаровий; SMD; 0603; 10мкГн; 300мА; R: 1,37Ом; ±20%
Реактор: багатошаровий; SMD; 0603; 10мкГн; 300мА; R: 1,37Ом; ±20%

8,87 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; 2,4А; R: 309мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; 2,4А; R: 309мОм; Реактор: кільцевий

300,30 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
43мм
Застосування реакторів:
імпульсні блоки живлення
Індуктивність:
1мГн