Реактор: керамічний; SMD; 0402; 110нГн; 150мА; R: 2,7Ом; ±2%

Немає в наявності
Код товару: MHQ1005PR11GTD25
2,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 20000
Крок додавання: 10000
Код товару: MHQ1005PR11GTD25
Виробник: TDK
Високосортність: 22
Допуск: ±2%
Індуктивність: 0,11мкГн
Корпус - дюйм: 0402
Монтаж: SMD
Опір: 2,7Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,15А
Тестова частота: 100МГц
Тип реактора: керамічний
Частота резонансна: 1,2ГГц
Недоступний
Резистор: thin film; 162кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 162кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RK73B-RT; 150В
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RK73B-RT; 150В

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: thick film; 200Ом; 0402; 200мВт; ±1%; 1x0,5x0,35мм
Резистор: thick film; 200Ом; 0402; 200мВт; ±1%; 1x0,5x0,35мм

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 12200мА
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 12200мА

3215,29 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
12,2А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Резистор: thick film; 806кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 806кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 18В; SMD; DO213AA; 50нА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 18В; SMD; DO213AA; 50нА; ролик,cтрічка

5045,62 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
18В
Корпус:
DO213AA
Недоступний
Резистор: thin film; 9,31кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 9,31кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%

6,97 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%

9,50 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит

11,28 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
20
Діаметр:
8,7мм
Допуск:
±10%
Реактор: феритовий; 330нГн; Iробочий: 37,3А; R: 1,27мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 330нГн; Iробочий: 37,3А; R: 1,27мОм; ±20%

67,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
10,8x10x5,4мм
Індуктивність:
0,33мкГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн

138,75 грн

Висота:
32,995мм
Індуктивність:
9,1мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
2,1мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C

14,83 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
56мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,35Ом
Реактор: феритовий; 15мкГн; Iробочий: 8,2А; R: 30,8мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 15мкГн; Iробочий: 8,2А; R: 30,8мОм; ±20%

191,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
13,2x12,5x5мм
Індуктивність:
15мкГн