Реактор: керамічний; SMD; 0402; 24нГн; 230мА; R: 1,2Ом; ±2%

Немає в наявності
Код товару: MHQ1005P24NGTD25
2,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 20000
Крок додавання: 10000
Код товару: MHQ1005P24NGTD25
Виробник: TDK
Високосортність: 20
Допуск: ±2%
Індуктивність: 24нГн
Корпус - дюйм: 0402
Монтаж: SMD
Опір: 1,2Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,23А
Тестова частота: 100МГц
Тип реактора: керамічний
Частота резонансна: 2,8ГГц
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 1мкс; SOD123F; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 27А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 1мкс; SOD123F; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 27А

2,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 56,7÷62,7В; 7,3А; двоспрямована; SMB; P6SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 56,7÷62,7В; 7,3А; двоспрямована; SMB; P6SMBJ

4,62 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
51В
Корпус:
SMB
Модуль автоматики: розширення вх./вих; ET 200SP; Цифр.вх: 16
Модуль автоматики: розширення вх./вих; ET 200SP; Цифр.вх: 16

5135,59 грн

Серія виробника:
ET 200SP
тип модуля автоматики:
розширення вх./вих.
Число цифрових входів:
16
Недоступний
Резистор: thick film; 237кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 237кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; RK73H; 200В

1,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: metal film; 680мОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 680мОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CSN

2,84 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 620мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 620мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

3,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; R: 10мОм; ±30%; 8x8x4,2мм; 8,15А
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; R: 10мОм; ±30%; 8x8x4,2мм; 8,15А

16,47 грн

Висота:
4,2мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
1,5мкГн
Матеріал стержня:
ферит
SMD; 330мкГн; 6А; 250ВAC; Зовн.розм: 19,8x14,8мм; W: 14,8мм; H: 9,8мм
SMD; 330мкГн; 6А; 250ВAC; Зовн.розм: 19,8x14,8мм; W: 14,8мм; H: 9,8мм

80,46 грн

Висота:
9,8мм
Зовнішні розміри:
19,8x14,8мм
Індуктивність:
0,33мГн
Максимальний струм:
6А
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; Iробочий: 17,9А; R: 1,95мОм; ±20%; DR
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; Iробочий: 17,9А; R: 1,95мОм; ±20%; DR

43,72 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
1,95мОм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; M; 8,8x8,4x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; M; 8,8x8,4x3,8мм

67,85 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
8,8x8,4x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; R: 330мОм; ±20%; 6x6x4,5мм; 1,6А
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; R: 330мОм; ±20%; 6x6x4,5мм; 1,6А

2,90 грн

Висота:
4,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
68мкГн
SMD; 0402; 47нГн; ±5%; IMC; 1,1x0,65x0,6мм; 150мА; -40÷125°C
SMD; 0402; 47нГн; ±5%; IMC; 1,1x0,65x0,6мм; 150мА; -40÷125°C

7,35 грн

Високосортність:
26
Допуск:
±5%
Індуктивність:
47нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 2,55А; R: 43,5мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 2,55А; R: 43,5мОм; ±20%

27,88 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
43,5мОм