Реактор: феритовий; 3,3мГн; 220мА; R: 7690мОм; ±10%

Немає в наявності
Код товару: SBC4-332-161
33,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: SBC4-332-161
Виробник: KEMET
Допуск: ±10%
Індуктивність: 3,3мГн
Опір: 7690мОм
Робочий струм: 0,22А
Тестова частота: 10кГц
Тип реактора: феритовий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

4,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2пФ
Діод: TVS; 1,5кВт; 86,7В; 11,9А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 86,7В; 11,9А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

15,27 грн

Зворотна напруга макс.:
78В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 31,6кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 31,6кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Резистор: thick film; 4,7Ом; 1225; 3Вт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 4,7Ом; 1225; 3Вт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

26,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; Iконтактів max: 8А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; Iконтактів max: 8А

479,60 грн

Висота:
12,3мм
Зовнішні розміри:
28,5x12,3x10,1мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
8А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1210

5,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Реактор: дротяний; THT; 560мкГн; ±15%; Вив: радіальні; 140мОм
Реактор: дротяний; THT; 560мкГн; ±15%; Вив: радіальні; 140мОм

65,89 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±15%
Індуктивність:
0,56мГн
Монтаж:
THT
Реактор: котушка; SMD; 0603; 5,6нГн; 700мА; R: 0,15Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0603; 5,6нГн; 700мА; R: 0,15Ом; ±5%

4,75 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±5%
Індуктивність:
5,6нГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 7,4x6,8x3,2мм; 18А; H: 3,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 7,4x6,8x3,2мм; 18А; H: 3,2мм

23,76 грн

Висота:
3,2мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: котушка; SMD; 0603; 68нГн; 600мА; R: 0,34Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0603; 68нГн; 600мА; R: 0,34Ом; ±5%

5,07 грн

Високосортність:
40
Допуск:
±5%
Індуктивність:
68нГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; ±20%; 14x12,8x6,5мм; 63А; H: 6,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; ±20%; 14x12,8x6,5мм; 63А; H: 6,5мм

51,95 грн

Висота:
6,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мкГн
Реактор: котушка; SMD; 0805; 18нГн; 600мА; R: 0,08Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0805; 18нГн; 600мА; R: 0,08Ом; ±5%

6,21 грн

Високосортність:
60
Допуск:
±5%
Індуктивність:
18нГн
Корпус - дюйм:
0805
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 3,9А; ±30%; Isat: 4,2А
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 3,9А; ±30%; Isat: 4,2А

16,28 грн

Високосортність:
13
Висота:
4мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
6,8мкГн