Реактор: феритовий; 330мкГн; 1,2А; R: 410мОм; ±10%

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SBC6-331-871
57,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SBC6-331-871
Виробник: KEMET
Допуск: ±10%
Індуктивність: 0,33мГн
Опір: 0,41Ом
Робочий струм: 1,2А
Тестова частота: 10кГц
Тип реактора: феритовий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,4пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

1,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 3,6Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 3,6Вт; PQFN5X6

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
PQFN5X6
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 71,5Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 71,5Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 320мА; R: 1Ом; ±10%; W: 2,5мм; A: 3,2мм
SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 320мА; R: 1Ом; ±10%; W: 2,5мм; A: 3,2мм

6,15 грн

Високосортність:
30
Висота:
2,2мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
2,2мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 6,8мкГн; 180мА; R: 1,8Ом; ±5%
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 6,8мкГн; 180мА; R: 1,8Ом; ±5%

5,13 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±5%
Індуктивність:
6,8мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Реактор: феритовий; 1мГн; 390мА; R: 2370мОм; ±10%
Реактор: феритовий; 1мГн; 390мА; R: 2370мОм; ±10%

46,25 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
1мГн
Опір:
2,37Ом
Робочий струм:
0,39А
Реактор: дротяний; SMD; 0606; 4,7мкГн; ±20%; 4x4x1,8мм; 2,2А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 0606; 4,7мкГн; ±20%; 4x4x1,8мм; 2,2А; ферит

5,96 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - дюйм:
0606
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 0,22мкГн; 665мА; R: 250мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 0,22мкГн; 665мА; R: 250мОм; ±20%

4,94 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Реактор: дротяний; SMD; 47мкГн; Iробочий: 3,3А; R: 145мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 47мкГн; Iробочий: 3,3А; R: 145мОм; ±20%

27,12 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
47мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 22мкГн; 370мА; R: 900мОм; ±10%
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 22мкГн; 370мА; R: 900мОм; ±10%

8,17 грн

Високосортність:
10
Допуск:
±10%
Індуктивність:
22мкГн
Корпус - дюйм:
1812