Реактор: феритовий; SMD; 1008; 100нГн; 280мА; R: 0,8Ом; ±5%

Немає в наявності
Код товару: NLV25T-R10J-EF
4,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: NLV25T-R10J-EF
Виробник: TDK
Високосортність: 20
Допуск: ±5%
Індуктивність: 0,1мкГн
Корпус - дюйм: 1008
Монтаж: SMD
Опір: 0,8Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 0,28А
Тестова частота: 100МГц
Тип реактора: феритовий
Частота резонансна: 0,8ГГц
Недоступний
Резистор: thick film; 4,02кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%; 25В
Резистор: thick film; 4,02кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%; 25В

0,32 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: MOSFET; Uізол: 5кВ; Gull wing 4; Urmax: 5В
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: MOSFET; Uізол: 5кВ; Gull wing 4; Urmax: 5В

69,69 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Корпус:
Gull wing 4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Недоступний
Датчик: тиску; -6÷6мбар; диференційний; OUT: I2C; SMT; -40÷85°C
Датчик: тиску; -6÷6мбар; диференційний; OUT: I2C; SMT; -40÷85°C

5547,40 грн

Діапазон вимірювання тиску:
-6...6мбар
Конфігурація виходу:
I2C
Монтаж:
SMT
Напруга живлення:
3В; 3,27...3,33В DC; 3,3В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 1,6кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 1,6кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Реактор: дротяний; THT; 560мкГн; ±15%; Вив: радіальні; 140мОм
Реактор: дротяний; THT; 560мкГн; ±15%; Вив: радіальні; 140мОм

65,89 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±15%
Індуктивність:
0,56мГн
Монтаж:
THT
Реактор: котушка; SMD; 0603; 5,6нГн; 700мА; R: 0,15Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0603; 5,6нГн; 700мА; R: 0,15Ом; ±5%

4,75 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±5%
Індуктивність:
5,6нГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 7,4x6,8x3,2мм; 18А; H: 3,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 7,4x6,8x3,2мм; 18А; H: 3,2мм

23,76 грн

Висота:
3,2мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: котушка; SMD; 0603; 68нГн; 600мА; R: 0,34Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0603; 68нГн; 600мА; R: 0,34Ом; ±5%

5,07 грн

Високосортність:
40
Допуск:
±5%
Індуктивність:
68нГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; ±20%; 14x12,8x6,5мм; 63А; H: 6,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; ±20%; 14x12,8x6,5мм; 63А; H: 6,5мм

51,95 грн

Висота:
6,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мкГн
Реактор: котушка; SMD; 0805; 18нГн; 600мА; R: 0,08Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0805; 18нГн; 600мА; R: 0,08Ом; ±5%

6,21 грн

Високосортність:
60
Допуск:
±5%
Індуктивність:
18нГн
Корпус - дюйм:
0805
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 3,9А; ±30%; Isat: 4,2А
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 3,9А; ±30%; Isat: 4,2А

16,28 грн

Високосортність:
13
Висота:
4мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
6,8мкГн