Реактор: феритовий; SMD; 1008; 10нГн; 530мА; R: 0,26Ом; ±5%

Немає в наявності
Код товару: NLV25T-010J-EF
4,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: NLV25T-010J-EF
Виробник: TDK
Високосортність: 15
Допуск: ±5%
Індуктивність: 10нГн
Корпус - дюйм: 1008
Монтаж: SMD
Опір: 0,26Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 0,53А
Тестова частота: 100МГц
Тип реактора: феритовий
Частота резонансна: 2,15ГГц
Недоступний
Резистор: thin film; 698кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 698кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

11,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; PF; 200В
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; PF; 200В

0,48 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: керамічний; 3900пФ; 440ВAC; Y5U; ±20%; THT; 7,5мм
Конденсатор: керамічний; 3900пФ; 440ВAC; Y5U; ±20%; THT; 7,5мм

6,46 грн

Виводи:
радіальні
Діелектрик:
Y5U
Допуск:
±20%
Ємність:
3,9нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 23,7Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 23,7Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 1,21кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,21кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
1,21кОм
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 80А; 142Вт; TO252; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 80А; 142Вт; TO252; автомобільна галузь

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

2654,59 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 0,12мкГн; 450мА; R: 220мОм; ±5%
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 0,12мкГн; 450мА; R: 220мОм; ±5%

4,43 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,12мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; R: 100мОм; ±20%; 8x8x4,2мм; 1,9А
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; R: 100мОм; ±20%; 8x8x4,2мм; 1,9А

10,90 грн

Висота:
4,2мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Реактор: феритовий; 10мкГн; 4А; R: 40мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 10мкГн; 4А; R: 40мОм; ±20%

39,91 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Опір:
40мОм
Робочий струм:
4А
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 10,5А; ±20%; Isat: 23А
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 10,5А; ±20%; Isat: 23А

30,54 грн

Висота:
4мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Корпус - мм:
3232
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 0,56мкГн; 520мА; R: 360мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 0,56мкГн; 520мА; R: 360мОм; ±20%

7,35 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,56мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Реактор: феритовий; 4,7мГн; 190мА; R: 9780мОм; ±10%
Реактор: феритовий; 4,7мГн; 190мА; R: 9780мОм; ±10%

48,15 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
4,7мГн
Опір:
9780мОм
Робочий струм:
0,19А
Реактор: дротяний; THT; 100мГн; 9мА; ±5%; Растр: 5мм; Вив: радіальні
Реактор: дротяний; THT; 100мГн; 9мА; ±5%; Растр: 5мм; Вив: радіальні

93,77 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
100
Висота:
14мм
Діаметр:
10,5мм