Реактор: феритовий; SMD; 1008; 12нГн; 500мА; R: 0,27Ом; ±5%

Немає в наявності
Код товару: NLV25T-012J-EF
3,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: NLV25T-012J-EF
Виробник: TDK
Високосортність: 15
Допуск: ±5%
Індуктивність: 12нГн
Корпус - дюйм: 1008
Монтаж: SMD
Опір: 0,27Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 0,5А
Тестова частота: 100МГц
Тип реактора: феритовий
Частота резонансна: 2,05ГГц
Двигун: DC; з передачею; LP; 12ВDC; 1,1А; Вісь: насічка D; 378: 1
Двигун: DC; з передачею; LP; 12ВDC; 1,1А; Вісь: насічка D; 378: 1

1794,22 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Вид двигуна:
з передачею
Двосторонній вал:
ні
Діаметр валу:
4мм
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 1333мА
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 1333мА

1035,23 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
1,333А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 3,8А; R: 45мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 3,8А; R: 45мОм; ±20%

14,45 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
45мОм
Недоступний
Резистор: thin film; 102кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 102кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; 4PDT; Iконтактів max: 6А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; 4PDT; Iконтактів max: 6А

703,24 грн

Зовнішні розміри:
21x36x28мм
Конфігурація контактів:
4PDT
Макс. струм контактів:
6А
Монтаж:
підставка
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 63А; Iдіф: 300мА; Полюси: 1+N; 230/400ВAC
Аварійний вимикач; Iном: 63А; Iдіф: 300мА; Полюси: 1+N; 230/400ВAC

2833,25 грн

Вид вимикача:
тип AC
Диференціальний струм:
0,3А
Кількість полюсів:
1+N
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 487кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 487кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF; 100ppm/°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%

6,97 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%

9,50 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит

11,28 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
20
Діаметр:
8,7мм
Допуск:
±10%
Реактор: феритовий; 330нГн; Iробочий: 37,3А; R: 1,27мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 330нГн; Iробочий: 37,3А; R: 1,27мОм; ±20%

67,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
10,8x10x5,4мм
Індуктивність:
0,33мкГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн

138,75 грн

Висота:
32,995мм
Індуктивність:
9,1мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
2,1мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C

14,83 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
56мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,35Ом
Реактор: феритовий; 15мкГн; Iробочий: 8,2А; R: 30,8мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 15мкГн; Iробочий: 8,2А; R: 30,8мОм; ±20%

191,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
13,2x12,5x5мм
Індуктивність:
15мкГн